[發明專利]彎曲光子傳感器芯片的方法有效
| 申請號: | 201680020833.1 | 申請日: | 2016-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN107438901B | 公開(公告)日: | 2020-12-11 |
| 發明(設計)人: | A·科菲;G·P·麥克尼格特;G·赫瑞拉 | 申請(專利權)人: | 微軟技術許可有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L27/148 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 王茂華;丁君軍 |
| 地址: | 美國華*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 彎曲 光子 傳感器 芯片 方法 | ||
1.一種彎曲光子傳感器芯片的方法,包括:
將基本上平坦的光子傳感器芯片放置在模具的凹進面之上,使得:
所述光子傳感器芯片的有源區域至少部分地覆蓋所述模具的中心區域的凹面;
所述光子傳感器芯片的無源區域至少部分地覆蓋所述模具的傾斜部分,其中所述傾斜部分具有凸面輪廓,并且其中所述傾斜部分被定位在所述模具的周圍區域;以及
所述光子傳感器芯片的邊緣和角中的至少一個接觸所述模具的所述傾斜部分,其中:
所述中心區域的所述凹面的曲率平滑且連續地過渡到所述周圍區域的所述凸面輪廓的曲率,并且所述周圍區域的所述凸面輪廓同心地圍繞所述中心區域的所述凹面;以及
將壓力施加在所述光子傳感器芯片上以將所述光子傳感器芯片按壓并且彎曲到所述模具中。
2.根據權利要求1所述的方法,其中所述光子傳感器芯片的所述有源區域被懸在所述凹進面的所述中心區域的所述凹面之上。
3.根據權利要求2所述的方法,其中在將壓力施加在所述光子傳感器芯片上以將所述光子傳感器芯片按壓并彎曲成所述模具之后,所述光子傳感器芯片的所述邊緣或所述角中的至少一個與所述凹進面的所述周圍區域的所述凸面輪廓接觸。
4.根據權利要求1所述的方法,其中所述模具的所述凹進面還包括同心地圍繞所述周圍區域的所述凸面輪廓的線性周圍區域,以及
其中所述光子傳感器芯片的所述有源區域被懸在所述模具的所述凹進面的所述中心區域的所述凹面之上。
5.根據權利要求4所述的方法,其中所述周圍區域的所述凸面輪廓與所述線性周圍區域之間的所述凹進面的過渡是平滑且連續的。
6.根據權利要求1所述的方法,其中所述光子傳感器芯片上的所述壓力跨光子傳感器芯片的所述區域基本上是均勻的。
7.根據權利要求1所述的方法,還包括:
在施加所述壓力之前,將彈性膜放置在所述光子傳感器芯片上,其中所述彈性膜是基本上流體不滲透的。
8.根據權利要求7所述的方法,其中施加所述壓力還包括:
將所述彈性膜之上的體積的氣壓設置為大于(i)所述彈性膜和(ii)所述光子傳感器芯片之下的體積的氣壓。
9.根據權利要求1所述的方法,其中所述模具的所述中心區域的所述凹面包括第一材料,并且具有所述模具的所述凸面輪廓的所述傾斜部分包括與所述第一材料不同的第二材料。
10.一種彎曲光子傳感器芯片的方法,包括:
將基本上平坦的光子傳感器芯片放置在模具的凹面部分之上,使得(i)所述光子傳感器芯片的有源區域被懸在所述模具的所述凹面部分的至少一部分之上,(ii)所述光子傳感器芯片的無源區域的至少部分覆蓋所述模具的傾斜部分,其中所述傾斜部分是所述模具的凸面部分,以及(iii)所述光子傳感器芯片的邊緣和角中的至少一個與所述模具的所述傾斜部分接觸,其中所述凹面部分的凹度朝著所述凸面部分逐漸減小,其中所述模具的所述凹面部分還包括所述凹面部分與所述凸面部分之間的過渡區域,并且其中所述模具的面(i)在所述凹面部分與所述凸面部分之間并且(ii)在所述過渡區域與所述凸面部分之間是平滑且連續的;以及
將基本上均勻的力施加在所述光子傳感器芯片上,以將所述光子傳感器芯片的所述有源區域朝向所述模具的所述凹面部分彎曲。
11.根據權利要求10所述的方法,其中所述光子傳感器芯片是矩形,并且所述凹面部分的剖面是圓形或橢圓形。
12.根據權利要求10所述的方法,還包括:
在將所述基本上平坦的光子傳感器芯片放置在所述模具的所述凹面部分之上之前,將粘合劑放置在所述模具的所述凹面部分的至少一部分上,以將處于彎曲狀態中的所述光子傳感器芯片粘附到所述模具的所述凹面部分。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





