[發(fā)明專利]選擇性模擬和射頻性能修改

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201680018273.6
• 申請(qǐng)日: 2016-03-09
• 公開（公告）號(hào): CN107431043A
• 公開（公告）日: 2017-12-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 耿春齊;C·F·耶普;S·S·宋
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 高通股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/8234
• 分類號(hào): H01L21/8234;H01L27/088;H01L27/092
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所11256
• 代理人: 王茂華,張曦

技術(shù)領(lǐng)域

本公開的各方面涉及半導(dǎo)體器件，并且更特別地涉及晶體管的選擇性增強(qiáng)或修改。

背景技術(shù)

用于集成電路(IC)的半導(dǎo)體制造的工藝流程可以包括線前端(FEOL)工藝、線中段(MOL)工藝和線后端(BEOL)工藝。線前端工藝可以包括晶片制備、隔離、阱形成、柵極圖案化、間隔物、擴(kuò)展和源極/漏極注入、硅化物形成、以及雙應(yīng)力襯里形成。線中段工藝可以包括柵極接觸件形成。線中段層可以包括但不限于線中段接觸件、過孔或緊鄰半導(dǎo)體器件晶體管或其他類似有源器件的其他層。線后端工藝可以包括一系列晶片處理步驟，用于將線前端工藝和線中段工藝期間創(chuàng)建的半導(dǎo)體器件互連。現(xiàn)代半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品的成功制造牽涉到所采用的材料與工藝之間的相互作用。

移動(dòng)RF(射頻)芯片(例如，收發(fā)器)設(shè)計(jì)可以使用中介物(interposer)來制造。中介物是一種裸片安裝技術(shù)，其中中介物用作在其上安裝移動(dòng)RF芯片的基底。中介物是扇出晶片級(jí)別封裝結(jié)構(gòu)的示例。中介物可以包括用于在移動(dòng)RF芯片(例如，收發(fā)器)與系統(tǒng)板之間路由電連接的導(dǎo)電跡線和導(dǎo)電過孔的布線層。中介物可以包括重分布層(RDL)，其將移動(dòng)RF收發(fā)器的有源表面上的接合焊盤的連接圖案提供給更適合于連接至系統(tǒng)板的重分布的連接圖案。

模擬和射頻集成電路芯片(包括作為收發(fā)器的移動(dòng)RF芯片)的設(shè)計(jì)因成本和功耗考慮已經(jīng)轉(zhuǎn)移到亞微米工藝節(jié)點(diǎn)。不幸地是，來自制造廠默認(rèn)器件選項(xiàng)的減小的供電電壓和相對(duì)較高的閾值電壓(V_th)可能導(dǎo)致減小的余量并顯著影響芯片的性能。增加的電路功能和設(shè)計(jì)復(fù)雜度(例如，載波聚合支持)、以及其他器件模擬/RF性能考慮(例如，失配、噪聲等)可能提出進(jìn)一步的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。歸因于模型和仿真工具限制或設(shè)計(jì)之后的芯片規(guī)范中的變化，或在性能不滿足規(guī)范的情況下，可能希望重新設(shè)計(jì)芯片。不幸地是，芯片重新設(shè)計(jì)是非常昂貴的。此外，重新設(shè)計(jì)芯片可能極大地影響生產(chǎn)周期，在一些情況下將生產(chǎn)周期延長幾個(gè)月。

發(fā)明內(nèi)容

一種半導(dǎo)體芯片包括電路塊。電路塊包括具有增強(qiáng)的第一性能特性的(多個(gè))第一晶體管，增強(qiáng)的第一性能特性不同于電路塊的(多個(gè))第二晶體管的第二性能特性。電路塊還包括標(biāo)記層以標(biāo)識(shí)(多個(gè))第一晶體管。

一種用于集成電路(IC)芯片的性能增強(qiáng)的方法包括根據(jù)預(yù)定的性能準(zhǔn)則選擇IC芯片的(多個(gè))電路塊。該方法還包括標(biāo)記所選擇的(多個(gè))電路塊內(nèi)的至少一個(gè)第一晶體管。第一晶體管可以根據(jù)預(yù)定的性能準(zhǔn)則被標(biāo)識(shí)。該方法進(jìn)一步包括調(diào)整該至少一個(gè)第一晶體管的性能。

一種半導(dǎo)體芯片包括電路塊。電路塊包括具有增強(qiáng)的第一性能特性的(多個(gè))第一晶體管，增強(qiáng)的第一性能特性不同于電路塊的(多個(gè))第二晶體管的第二性能特性。半導(dǎo)體芯片還包括用于分離(多個(gè))第一晶體管與(多個(gè))第二晶體管的部件。

這已經(jīng)相當(dāng)寬泛地概述了本公開的特征和技術(shù)優(yōu)點(diǎn)，以便隨后的詳細(xì)描述可以更好地被理解。本公開的另外的特征和優(yōu)點(diǎn)將在下文被描述。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白，本公開可以容易地用作修改或設(shè)計(jì)用于執(zhí)行本公開的相同目的的其他結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)。本領(lǐng)域的技術(shù)人員還應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到，這樣的等價(jià)構(gòu)造沒有偏離所附權(quán)利要求中闡述的本公開的教導(dǎo)。新穎特征(它們被相信是本公開關(guān)于它的組織和操作方法兩者而言的特性)與進(jìn)一步的目標(biāo)和優(yōu)點(diǎn)一起，在關(guān)于附圖被考慮時(shí)，將從以下描述更好地被理解。然而，將明確地理解，附圖中的每個(gè)附圖被提供僅用于說明和描述的目的并且不意圖作為本公開的界限的限定。

附圖說明

為了更完整地理解本公開，現(xiàn)在對(duì)結(jié)合附圖所采取的以下描述作出參考。

圖1圖示了本公開的一個(gè)方面的半導(dǎo)體晶片的透視圖。

圖2圖示了根據(jù)本公開的一個(gè)方面的裸片的截面視圖。

圖3圖示了本公開的一個(gè)方面的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)器件的截面視圖。

圖4圖示了根據(jù)本公開的一個(gè)方面的集成電路芯片的頂視圖。

圖5是圖示了根據(jù)本公開的一個(gè)方面的用于制造半導(dǎo)體器件的方法的過程流程圖。

圖6是示出了本公開的配置可以在其中有利地被采用的示例性無線通信系統(tǒng)的框圖。

圖7是圖示了被用于根據(jù)一種配置的半導(dǎo)體組件的電路、布局和邏輯設(shè)計(jì)的設(shè)計(jì)工作站的框圖。

具體實(shí)施方式