[發明專利]有機半導體元件

有效

• 申請號: 201680018138.1
• 申請日: 2016-01-27
• 公開（公告）號: CN107431095B
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發明（設計）人: 松井弘之;竹谷純一
• 申請（專利權）人: 國立大學法人東京大學
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;G01L1/18;H01L21/336;H01L29/84;H01L51/05
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 李照明;段承恩

1.一種有機半導體元件，使用了有機半導體，其特征在于，所述有機半導體被形成為單晶的薄膜，至少基于對所述有機半導體施予應變時的載流子的遷移率來進行工作，

所述有機半導體保持在載流子的遷移方向上受到規定應變的狀態。

2.如權利要求1所述的有機半導體元件，所述有機半導體保持在通過在結晶軸的c軸方向上作用壓縮應力，而作用規定應變的狀態。

3.如權利要求2所述的有機半導體元件，具有柵電極、源電極和漏電極，所述柵電極隔著柵極絕緣膜被配置在所述有機半導體的結晶軸的a軸方向，所述源電極以及所述漏電極在所述c軸方向上被配置成位于有機半導體的兩側。

4.如權利要求1所述的有機半導體元件，基于對所述有機半導體施予作為基準的規定應變時的載流子的遷移率與對所述有機半導體施予不同于所述規定應變的應變時的載流子的遷移率來進行工作。

5.如權利要求1～4中任一項所述的有機半導體元件，所述有機半導體是4環以上的多環芳香族化合物、或至少1個不飽和五元雜環化合物與多個苯環形成的4環以上的多環化合物。

6.如權利要求1～4中任一項所述的有機半導體元件，所述有機半導體被形成為厚度為200nm以下的薄膜。

7.如權利要求1～4中任一項所述的有機半導體元件，對所述有機半導體施予的應變在壓縮方向上是在10％以下范圍內。

8.一種有機半導體元件，使用了有機半導體，其特征在于，所述有機半導體以4環以上的多環芳香族化合物、或至少1個不飽和五元雜環化合物與多個苯環形成的4環以上的多環化合物的單晶的薄膜的形式形成，

至少基于對所述有機半導體施予應變變化時的載流子的遷移率來進行工作，

所述有機半導體保持在載流子的遷移方向上受到規定應變的狀態。

9.如權利要求8所述的有機半導體元件，所述多環芳香族化合物具有棒狀分子結構。

10.如權利要求8所述的有機半導體元件，所述多環芳香族化合物具有彎曲的分子結構。

11.如權利要求8所述的有機半導體元件，所述多環化合物具有彎曲的分子結構。

12.如權利要求8～11中任一項所述的有機半導體元件，所述有機半導體被形成為厚度為200nm以下的薄膜。

13.如權利要求8～11中任一項所述的有機半導體元件，對所述有機半導體施予的應變在壓縮方向上是在10％以下范圍內。