[發明專利]固體攝像元件和電子設備有效
| 申請號: | 201680017826.6 | 申請日: | 2016-03-24 |
| 公開(公告)號: | CN107431078B | 公開(公告)日: | 2021-11-16 |
| 發明(設計)人: | 世古裕亮 | 申請(專利權)人: | 索尼半導體解決方案公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522;H01L27/14;H04N5/369 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人: | 陳桂香;曹正建 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固體 攝像 元件 電子設備 | ||
本發明涉及能夠消除與入射在像素上的光的入射角對應的光接收量的不對稱性的固體攝像元件和電子設備。所述固體攝像元件包括:像素,所述像素具有光接收部,所述光接收部用于接收從半導體基板的背面側入射的光;以及配線層,所述配線層被層疊在所述半導體基板的前表面上。所述像素包括對稱配線,所述對稱配線被形成得在所述像素的平面視圖中關于所述像素的中心具有對稱形狀。在所述配線層中形成有多層配線,并且所述對稱配線被布置在所述多層配線之中的最靠近所述光接收部的那一層中。例如,本技術可以被應用到背面照射型固體攝像元件。
技術領域
本發明涉及固體攝像元件和電子設備,并且具體地,涉及能夠消除與入射在像素上的光的入射角對應的光接收量的不對稱性的固體攝像元件和電子設備。
背景技術
通常,在諸如數碼照相機或數碼攝影機等具有攝像功能的電子設備中,例如,使用了諸如電荷耦合器件(CCD:charge coupled device)或互補金屬氧化物半導體(CMOS:complementary metal oxide semiconductor)圖像傳感器等固體攝像元件。該固體攝像元件具有像素,在所述像素中,用于執行光電轉換的光電二極管和多個晶體管被組合起來,并且基于從布置在用于形成被攝體的圖像的像平面(image plane)中的多個像素輸出的像素信號來構建圖像。
此外,近年來,經常使用背面照射型固體攝像元件,在該背面照射型固體攝像元件中,其上形成有光電二極管的半導體基板被減薄化,在該半導體基板的前表面上層疊有配線層,并且光從該半導體基板的背面側入射至光電二極管。
順便提及地,在背面照射型固體攝像元件中,從背面側入射的光會透過半導體基板,并且會被形成在配線層中的配線反射,而且反射光可能會進入光電二極管。在這種情況下,當形成在配線層中的配線以關于像素的中心呈不對稱的形狀而被形成時,入射在光電二極管上的反射光的光量可能會與光的入射角對應地發生變化。即,在這種情況下,即使一定量的光在光的入射角發生改變的同時入射在像素上,入射在光電二極管上的反射光的光量也會因配線布局的不對稱性而變化,因此,像素的光接收量可能是不恒定的。
此外,專利文獻1公開了如下一種背面照射型固體攝像元件:該背面照射型固體攝像元件采用了配線沒有被布置在用于接收容易透過半導體基板的長波長的光的像素下方的配線布局,并且通過減少配線層中的光反射來抑制了光的混入。
引用文獻列表
專利文獻
專利文獻1:JP2011-129627A
發明內容
要解決的技術問題
順便提及地,近年來,隨著從像素讀取像素信號的速度逐漸增大,信號線和控制線趨于增多,因此,變得難以采用如上述專利文獻1那樣的配線沒有被布置在像素下方的配線布局。此外,由于這種配線布局的設計靈活性較低,所以期望提高設計靈活性,并且期望像素的光接收量能夠相對于光的入射角保持恒定。
本發明是鑒于這些情況而被設計的,并且可以消除與入射在像素上的光的入射角對應的光接收量的不對稱性。
解決技術問題的技術方案
本發明的一方面的固體攝像元件包括:像素,其包括光接收部,所述光接收部接收從半導體基板的背面側入射的光;以及配線層,其被層疊在所述半導體基板的前表面上。所述像素包括對稱配線,所述對稱配線以在所述像素的平面視圖中關于所述像素的中心呈對稱形狀的方式而被形成。
本發明的一方面的電子設備包括固體攝像元件,所述攝像元件包括:像素,其包括光接收部,所述光接收部接收從半導體基板的背面側入射的光;以及配線層,其被層疊在所述半導體基板的前表面上。所述像素包括對稱配線,所述對稱配線以在所述像素的平面視圖中關于所述像素的中心呈對稱形狀的方式而被形成。
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





