[發(fā)明專利]導(dǎo)電結(jié)構(gòu)體及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680017412.3
• 申請日: 2016-08-11
• 公開（公告）號: CN107371363B
• 公開（公告）日: 2019-08-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 尹晶煥;宋斗勛;章盛晧;樸鎮(zhèn)宇;金起煥
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社LG化學(xué)
• 主分類號: B32B15/01
• 分類號: B32B15/01;G06F3/041
• 代理公司: 北京鴻元知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11327
• 代理人: 王楠楠;李靜

1.一種導(dǎo)電結(jié)構(gòu)體，包括：

基板；

設(shè)置在所述基板上的金屬層；以及

設(shè)置在所述金屬層上并且包含銅-錳-鎳氧化物的減光反射層，

其中，所述減光反射層中的銅含量為28原子％至46原子％，錳含量為3原子％至12原子％，鎳含量為17原子％至24原子％，氧含量為18原子％至52原子％，并且

所述減光反射層中的所述氧含量與所述銅含量、錳含量、鎳含量和氧含量的總和的比為0.18至0.52。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)體，其中，在波長范圍為380nm至780nm的光中，所述減光反射層的消光系數(shù)k為0.6以上且為1.4以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)體，其中，在波長范圍為380nm至780nm的光中，所述減光反射層的折射率n為1.7以上且為2.8以下。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)體，其中，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)體的總反射率為40％以下。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)體，其中，所述減光反射層的厚度為0.1nm至400nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)體，其中，所述減光反射層的厚度為0.1nm至100nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)體，其中，所述金屬層的厚度為0.01μm至10μm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)體，其中，所述金屬層是圖案化的金屬圖案層，所述減光反射層是圖案化的減光反射圖案層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)體，其中，所述金屬圖案層的線寬為10μm以下。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)體，其中，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)體的表面電阻為1Ω/sq至300Ω/sq。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)體，其中，所述金屬層包含選自Cu、Al、Ag、Nd、Mo、Ni以及它們的合金中的一種或兩種以上。

12.一種導(dǎo)電結(jié)構(gòu)體的制備方法，該制備方法包括：

在基板上形成金屬層；以及

形成減光反射層，該減光反射層設(shè)置在所述金屬層上并且包含銅-錳-鎳氧化物，

其中，所述減光反射層中的銅含量為28原子％至46原子％，錳含量為3原子％至12原子％，鎳含量為17原子％至24原子％，氧含量為18原子％至52原子％，并且

所述減光反射層中的所述氧含量與所述銅含量、錳含量、鎳含量和氧含量的總和的比為0.18至0.52。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制備方法，還包括：

分別地或同時地對所述金屬層和所述減光反射層進行圖案化。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制備方法，其中，所述形成減光反射層通過使用反應(yīng)濺射法來進行。

15.一種包括權(quán)利要求1至11中的任意一項所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)體的觸摸屏面板。

16.一種包括權(quán)利要求15所述的觸摸屏面板的顯示器件。