[發明專利]流體組裝頂接觸LED圓盤

有效

• 申請號: 201680016233.8
• 申請日: 2016-03-29
• 公開（公告）號: CN107431106B
• 公開（公告）日: 2020-05-05
• 發明（設計）人: 戰長青;保羅·約翰·舒勒;馬克·艾伯特·克勞德爾
• 申請（專利權）人: 伊樂視有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/62
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334
• 代理人: 汪飛亞;薛曉偉

1.一種直接發光顯示器，其特征在于，包括：

透明基板，具有包含有井陣列的頂表面；

頂接觸LED，形成在每個井中，每個LED包括：

下圓盤，包括具有摻雜劑的材料，所述摻雜劑由p型摻雜劑或者n型摻雜劑組成的組中挑選，下圓盤具有底表面和頂表面；

多量子阱(MQW)圓盤，覆蓋所述下圓盤；

上圓盤，包括具有未被挑選的摻雜劑的材料，具有覆蓋所述多量子阱(MQW)圓盤的下表面、頂表面、以及第一直徑；

電絕緣體圓盤，覆蓋所述上圓盤的頂表面，其具有比第一直徑小的第二直徑，以暴露上圓盤接觸區域；

通孔，貫穿所述電絕緣體圓盤、上圓盤、多量子阱(MQW)圓盤形成，以暴露下圓盤頂表面的中心接觸區域；

第一導電線陣列，連接到所述LED的下圓盤接觸區域；

第二導電線陣列，連接到所述LED的上圓盤接觸區域；以及，

絕緣材料插入到導電線的第一陣列和第二陣列之間。

2.如權利要求1所述的顯示器，其特征在于，所述電絕緣體圓盤和絕緣材料是透明的。

3.如權利要求1或2所述的顯示器，其特征在于，所述下圓盤是從由p摻雜的氮化鎵(p-GaN)、p摻雜的磷化鋁鎵銦(p-AlGaInP)、n摻雜的GaN(n-GaN)、及n-AlGaInP組成的組中挑選的材料；以及，

所述上圓盤是未被挑選的材料。

4.如權利要求1至2任意一項所述的顯示器，其特征在于，所述電絕緣體圓盤有覆蓋上圓盤中心的中心；以及，

所述上圓盤接觸區域圍繞所述上圓盤頂表面的圓周形成；以及，

所述顯示器還包括：

形成并覆蓋在所述上圓盤接觸區域的一個區域的絕緣延伸部。

5.如權利要求1至2任意一項所述的顯示器，其特征在于，每個井具有一第三直徑；以及，

第一導電線陣列在每個井中形成一對位置相對的頂圓盤接觸臂，每個頂圓盤接觸臂具有延伸超過井的長度x，其中x較(第三直徑-第一直徑)/2大。

6.如權利要求5所述的顯示器，其特征在于，所述下圓盤接觸區域具有一第四直徑；以及，

第二導電線陣列在每個井中形成底圓盤接觸臂，每個底圓盤接觸臂具有延伸超過井和絕緣延伸部的長度y，其中y較(第三直徑+第四直徑)/2大。

7.如權利要求6所述的顯示器，其特征在于，在每個井中，所述底圓盤接觸臂與兩個頂圓盤接觸臂都正交。

8.如權利要求1所述的顯示器，其特征在于，所述電絕緣體圓盤是透明的。

9.一種制造直接發光顯示器的方法，包括：

提供其頂表面上形成有井陣列的透明基板；

將包含有多個頂接觸LED圓盤的流體流供應到基板頂表面；

使用所述LED圓盤填充井；

形成覆蓋LED的上圓盤接觸區域的一部分的絕緣延伸部；

在基板頂表面上形成第一導電線陣列以與每個LED圓盤的第一接觸部連接；以及，

在基板頂表面上形成第二導電線陣列以與每個LED圓盤的第二接觸部連接。

10.如權利要求9所述的方法，其特征在于，提供所述LED圓盤包括每個LED圓盤包括：

下圓盤，包括具有摻雜劑的材料，所述摻雜劑由p型摻雜劑或者n型摻雜劑組成的組中挑選，下圓盤具有底表面和頂表面；

多量子阱(MQW)圓盤，覆蓋所述下圓盤；

上圓盤，包括具有未被挑選的摻雜劑的材料，具有覆蓋所述多量子阱(MQW)圓盤的下表面、頂表面、以及第一直徑；

電絕緣體圓盤，覆蓋所述上圓盤的頂表面，其具有比第一直徑小的第二直徑，以暴露上圓盤接觸區域；以及，

通孔，貫穿所述電絕緣體圓盤、上圓盤、多量子阱(MQW)圓盤形成，以暴露下圓盤頂表面的中心接觸區域。