[發明專利]二氧化硅膜及分離膜過濾器有效
| 申請號: | 201680015708.1 | 申請日: | 2016-03-15 |
| 公開(公告)號: | CN107427784B | 公開(公告)日: | 2020-12-15 |
| 發明(設計)人: | 三浦綾;古川昌宏 | 申請(專利權)人: | 日本礙子株式會社 |
| 主分類號: | B01D71/02 | 分類號: | B01D71/02;B01D69/00;B01D69/02;B01D69/10;B01D69/12;C01B33/12 |
| 代理公司: | 北京旭知行專利代理事務所(普通合伙) 11432 | 代理人: | 王軼;鄭雪娜 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 二氧化硅 分離 過濾器 | ||
1.一種二氧化硅膜,其中,
所述二氧化硅膜具有芳基,且利用能量分散型X射線分光法、亦即EDX法進行元素分析而得到的原子數比Si/C為0.2~15的范圍,
所述二氧化硅膜是通過形成在透水量為0.5m/day~6.0m/day的范圍的多孔質基材上而得到的,
傅里葉變換紅外吸收光譜、亦即FT-IR中的、Si-O-Si鍵的吸收強度X與基于所述芳基的吸收強度Y的比值X/Y為5.0~200的范圍。
2.根據權利要求1所述的二氧化硅膜,其中,
所述Si/C為0.5以上。
3.根據權利要求1所述的二氧化硅膜,其中,
所述Si/C為8.0以下。
4.根據權利要求1~3中的任意一項所述的二氧化硅膜,其中,
所述二氧化硅膜的膜厚為30nm~300nm的范圍。
5.根據權利要求1~3中的任意一項所述的二氧化硅膜,其中,
所述芳基為對甲苯基及苯基中的1種以上。
6.一種分離膜過濾器,其中,包括:
多孔質基材,和
被形成在所述多孔質基材上的權利要求1~5中的任意一項所述的二氧化硅膜。
7.根據權利要求6所述的分離膜過濾器,其中,
所述二氧化硅膜的膜附著量為0.3g/m2~5.2g/m2的范圍。
8.根據權利要求6所述的分離膜過濾器,其中,
所述多孔質基材的透水量為0.5m/day~6.0m/day的范圍。
9.根據權利要求6~8中的任意一項所述的分離膜過濾器,其中,
所述二氧化硅膜被形成在所述多孔質基材的超濾膜上,
所述超濾膜的平均細孔徑為2nm~25nm的范圍。
10.根據權利要求6~8中的任意一項所述的分離膜過濾器,其中,
所述二氧化硅膜被形成在所述多孔質基材的超濾膜上,
所述超濾膜的膜厚為0.2μm~5μm的范圍。
11.根據權利要求6~8中的任意一項所述的分離膜過濾器,其中,
所述二氧化硅膜被形成在所述多孔質基材的超濾膜上,
所述超濾膜以Ti為主成分。
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