[發(fā)明專利]氮化鎵系燒結(jié)體和其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680015322.0
• 申請日: 2016-03-24
• 公開（公告）號: CN107429383B
• 公開（公告）日: 2020-07-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 召田雅實;倉持豪人
• 申請（專利權(quán)）人: 東曹株式會社
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C04B35/58;C30B29/38
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種氮化鎵系燒結(jié)體，其特征在于，含氧量為1atm％以下、電阻率為1×10²Ω·cm以下，密度為3.0g/cm³以上且5.4g/cm³以下，在大氣中進(jìn)行250℃的加熱處理1小時也無法以目視確認(rèn)金屬鎵自靶材構(gòu)件的析出。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵系燒結(jié)體，其特征在于，燒結(jié)體的平均粒徑為0.5μm以上且3μm以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氮化鎵系燒結(jié)體，其特征在于，燒結(jié)體的重量為10g以上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵系燒結(jié)體的制造方法，其特征在于，其為利用熱壓法的氮化鎵系燒結(jié)體的制造方法，以含氧量2atm％以下的氮化鎵粉末為原料，熱壓時以腔室中的達(dá)到真空度為70Pa以下、1060℃以上且低于1300℃進(jìn)行加熱。

5.一種氮化鎵濺射靶材，其特征在于，使用權(quán)利要求1～3中任一項所述的氮化鎵系燒結(jié)體。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的濺射靶材，其特征在于，在靶材構(gòu)件與接合層之間不存在包含鎢的層。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的濺射靶材，其特征在于，接合層包含銦、錫、鋅中的至少1種成分。

8.一種氮化鎵系薄膜的制造方法，其特征在于，使用權(quán)利要求5～7中任一項所述的濺射靶材。