[發明專利]有機發光元件及有機發光顯示裝置在審
| 申請號: | 201680015251.4 | 申請日: | 2016-03-10 |
| 公開(公告)號: | CN107431084A | 公開(公告)日: | 2017-12-01 |
| 發明(設計)人: | 李范成;李們在;文成允;金大成;樸正哲;權載擇;李錫宗;黃善弼 | 申請(專利權)人: | 德山新勒克斯 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52 |
| 代理公司: | 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙)31218 | 代理人: | 翟羽 |
| 地址: | 韓國忠清*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 元件 顯示裝置 | ||
1.一種有機發光元件,其具有位于一襯底上且具不同色彩的第一、第二、以及第三子像素,其特征在于:所述有機發光元件包括:
多個第一電極,設置在所述襯底上;
一第二電極,設置在所述襯底上而朝向所述多個第一電極;
多個有機發光層,設置在所述多個第一電極以及所述第二電極之間,所述多個有機發光層包括一設置在所述第一子像素中的第一有機發光層、一設置在所述第二子像素中的第二有機發光層、以及一設置在所述第三子像素中的第三有機發光層;
一空穴傳輸層,設置在所述多個第一電極以及所述多個有機發光層之間;以及
多個輔助發光層,設置在所述空穴傳輸層以及所述多個有機發光層之間,所述多個輔助發光層包括:一第一輔助發光層,共同地設置在所述第一子像素、所述第二子像素、以及所述第三子像素中;一第二輔助發光層,設置在所述第二子像素中且介于所述第一輔助發光層以及所述第二有機發光層之間,以及一第三輔助發光層,設置在所述第三子像素中且介于所述第一輔助發光層以及所述第三發光層之間。
2.如權利要求1所述的有機發光元件,其特征在于:所述第三輔助發光層厚于所述第二輔助發光層。
3.如權利要求2所述的有機發光元件,其特征在于:所述第二輔助發光層厚于所述第一輔助發光層。
4.如權利要求1所述的有機發光元件,其特征在于:所述第一輔助發光層的最高占據分子軌域(HOMO)水平大于所述空穴傳輸層的HOMO水平,且小于所述第二輔助發光層或所述第三輔助發光層的HOMO水平。
5.如權利要求4所述的有機發光元件,其特征在于:所述輔助發光層以一空穴傳輸材料形成。
6.一種有機發光元件,其特征在于:所述有機發光元件包括在一襯底上的二個或以上的子像素,所述有機發光元件包括:
多個第一電極,設置在所述襯底上;
一第二電極,設置在所述多個第一電極上而朝向所述多個第一電極;
二個或以上具不同色彩的有機發光層,設置在所述二個或以上子像素中且介于所述多個第一電極以及所述第二電極之間;
一空穴傳輸層,設置在所述多個第一電極以及所述多個有機發光層之間;以及
多個輔助發光層,設置在所述空穴傳輸層以及所述多個有機發光層之間,所述多個輔助發光層包括:一共同輔助發光層,共同地設置在所述二個或以上的子像素中;以及一或多個個別輔助發光層,分別設置在所述多個子像素的一部分中。
7.如權利要求6所述的有機發光元件,其特征在于:子像素的數量是二或四個,
其中所述多個有機發光層包括二或四個分別設置在所述二或四個子像素中的有機發光層;以及
其中所述多個輔助發光層包括:一共同輔助發光層,共同地設置在所述二或四個子像素中;以及一至三個個別輔助發光層,分別設置在所述一至三個子像素中。
8.一種包括如權利要求1所述有機發光元件的有機發光顯示裝置,其特征在于:所述有機發光元件包括:多個驅動晶體管,設置在具不同色彩的第一、第二、以及第三子像素中,各驅動晶體管包括一源極、一漏極、一柵極、以及一主動層;以及所述第一、第二、以及第三子像素位于一襯底上,
其中分別設置在所述第一、第二、以及第三子像素中的所述有機發光元件的所述多個第一電極中,各第一電極電性連接到所述驅動晶體管的所述源極以及所述漏極的其中之一。
9.如權利要求8所述的有機發光顯示裝置,其特征在于:所述第二輔助發光層的厚度小于所述第三輔助發光層的厚度。
10.如權利要求9所述的有機發光顯示裝置,其特征在于:所述第一輔助發光層的厚度小于所述第二輔助發光層的厚度。
11.如權利要求8所述的有機發光顯示裝置,其特征在于:所述第一輔助發光層的最高占據分子軌域(HOMO)水平大于所述空穴傳輸層的HOMO水平,且小于所述第二輔助發光層或所述第三輔助發光層的HOMO水平。
12.如權利要求11所述的有機發光顯示裝置,其特征在于:所述輔助發光層以一空穴傳輸材料形成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





