[發明專利]單個基板上的互補金屬氧化物半導體(CMOS)晶體管和隧道場效應晶體管(TFET)

在審

• 申請號: 201680014879.2
• 申請日: 2016-03-03
• 公開（公告）號: CN107431068A
• 公開（公告）日: 2017-12-01
• 發明（設計）人: B·楊;X·李;J·袁
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092;H01L21/8238
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100
• 代理人: 袁逸,陳煒

1.一種包括結構的裝置，所述結構包括：

單個基板；

形成在所述單個基板上的平面互補金屬氧化物半導體(CMOS)晶體管；

形成在所述單個基板上的平面隧道場效應晶體管(TFET)；以及

被包括在所述平面CMOS晶體管中或者被包括在所述平面TFET中的遷移率增強強度層。

2.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述遷移率增強強度層包括碳化硅或硅鍺中的至少一者。

3.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述遷移率增強強度層對應于所述平面CMOS晶體管的n型源極或者所述平面CMOS晶體管的n型漏極。

4.如權利要求3所述的裝置，其特征在于，所述n型源極和所述n型漏極包括碳化硅。

5.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述遷移率增強強度層對應于所述平面CMOS晶體管的p型源極或者所述平面CMOS晶體管的p型漏極。

6.如權利要求5所述的裝置，其特征在于，所述p型源極和所述p型漏極包括硅鍺。

7.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述遷移率增強強度層對應于所述平面TFET的p型源極或者所述平面TFET的n型漏極。

8.如權利要求7所述的裝置，其特征在于，所述p型源極包括硅鍺，并且其中所述n型漏極包括碳化硅。

9.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述遷移率增強強度層對應于所述平面TFET的n型源極或者所述平面TFET的p型漏極。

10.如權利要求9所述的裝置，其特征在于，所述n型源極包括碳化硅，并且其中所述p型漏極包括硅鍺。

11.一種包括結構的裝置，所述結構包括：

單個基板；

形成在所述單個基板上的互補金屬氧化物半導體(CMOS)晶體管；以及

形成在所述單個基板上的隧道場效應晶體管(TFET)，所述CMOS晶體管或所述TFET中的至少一者被配置成支持源極與漏極之間的垂直于所述單個基板的電流方向。

12.如權利要求11所述的裝置，其特征在于，所述CMOS晶體管是鰭狀場效應晶體管(finFET)。

13.如權利要求11所述的裝置，其特征在于，進一步包括：

所述CMOS晶體管的第一n型源極和第一p型源極；以及

所述TFET的第一n型漏極和第一p型漏極，

其中所述第一n型源極、所述第一p型源極、所述第一n型漏極和所述第一p型漏極是共平面的。

14.如權利要求13所述的裝置，其特征在于，進一步包括：

所述CMOS晶體管的第二n型漏極和第二p型漏極；以及

所述TFET的第二p型源極和第二n型源極，

其中所述第二n型漏極與所述第一n型源極對準，

其中所述第二p型漏極與所述第一p型源極對準，

其中所述第二p型源極與所述第一n型漏極對準，

其中所述第二n型源極與所述第一p型漏極對準，并且

其中所述第二n型漏極、所述第二p型漏極、所述第二n型源極和所述第二p型源極是共平面的。

15.如權利要求14所述的裝置，其特征在于，進一步包括：

所述CMOS晶體管的第一本征層，所述第一本征層在所述第一n型源極與所述第二n型漏極之間；

所述CMOS晶體管的第二本征層，所述第二本征層在所述第一p型源極與所述第二p型漏極之間；

所述TFET的第三本征層，所述第三本征層在所述第一n型漏極與所述第二p型源極之間；以及

所述TFET的第四本征層，所述第四本征層在所述第一p型漏極與所述第二n型源極之間，

其中所述第一本征層、所述第二本征層、所述第三本征層和所述第四本征層是共平面的。

16.一種形成結構的方法，所述方法包括：

在單個基板上形成互補金屬氧化物半導體(CMOS)晶體管；以及

在所述單個基板上形成隧道場效應晶體管(TFET)，所述CMOS晶體管或所述TFET中的至少一者被配置成支持源極與漏極之間的垂直于所述單個基板的電流方向。