[發明專利]活塞環

有效

• 申請號: 201680014581.1
• 申請日: 2016-02-15
• 公開（公告）號: CN107407413B
• 公開（公告）日: 2019-06-18
• 發明（設計）人: 佐藤大介;加村修一
• 申請（專利權）人: 株式會社理研
• 主分類號: F16J9/26
• 分類號: F16J9/26;F02F5/00
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 方應星;高培培

1.一種活塞環，具備：

環狀的主體部，具有一對側面、外周面及內周面；及

硬質皮膜，設于所述外周面，

在設與所述一對側面垂直的第一方向上的所述主體部的寬度為h₁mm，設所述第一方向上的所述硬質皮膜的寬度為Wmm，設與所述外周面垂直的第二方向上的所述硬質皮膜的厚度為Lmm時，滿足下式(1)：

0.003≤(L·h₁)/W≤0.151 (1)，

在設所述硬質皮膜的導熱率為σW/m·K時，所述導熱率σ比所述主體部的導熱率低，且為5W/m·K以上，

所述第二方向上的從所述硬質皮膜的頂點部至從所述頂點部離開0.3mm的位置為止的區域中的所述硬質皮膜的所述厚度為3μm以上且10μm以下。

2.根據權利要求1所述的活塞環，其中，

滿足下式(2)：

0.030≤(L·h₁·σ)/W≤6.360 (2)。

3.根據權利要求1或2所述的活塞環，其中，

滿足下式(3)：

0.003≤(L·h₁)/W≤0.088 (3)。

4.根據權利要求1或2所述的活塞環，其中，

滿足下式(4)：

0.030≤(L·h₁·σ)/W≤4.440 (4)。

5.根據權利要求1或2所述的活塞環，其中，

所述主體部包含0.45質量％以上且1.10質量％以下的碳、0.15質量％以上且1.60質量％以下的硅、和0.30質量％以上且1.15質量％以下的錳。

6.根據權利要求1或2所述的活塞環，其中，

所述主體部包含1.60質量％以下的鉻、0.25質量％以下的釩、0.35質量％以下的鉬和0.01質量％以下的硼中的至少一種。

7.根據權利要求1或2所述的活塞環，其中，

所述主體部包含0.002質量％以上且小于0.01質量％的磷。

8.根據權利要求1或2所述的活塞環，其中，

所述硬質皮膜包含從由氮化鉻膜、氮化鈦膜、碳氮化鉻膜、碳氮化鈦膜、氮氧化鉻膜及類金剛石碳膜構成的組中選擇的至少一種膜。

9.根據權利要求1或2所述的活塞環，其中，

所述硬質皮膜的厚度L為3μm以上且30μm以下。

10.根據權利要求1或2所述的活塞環，其中，

所述活塞環具備設置在所述主體部的所述一對側面中的至少一個側面、或者設置在所述外周面或所述內周面的氮化層，

所述氮化層的表面的維氏硬度為600[HV0.05]以上且1300[HV0.05]以下。

11.根據權利要求1或2所述的活塞環，其中，

在所述外周面的端部處，所述主體部露出。

12.根據權利要求11所述的活塞環，其中，

在與所述一對側面垂直的所述主體部的剖面中，所述外周面的所述端部的寬度為0.3mm以下。