[發(fā)明專(zhuān)利]彈性波裝置及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201680014166.6
• 申請(qǐng)日: 2016-03-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107408936B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 岸本諭卓
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 株式會(huì)社村田制作所
• 主分類(lèi)號(hào): H03H9/25
• 分類(lèi)號(hào): H03H9/25;H03H3/02;H03H3/08;H03H9/145;H03H9/17
• 代理公司: 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 趙琳琳

1.一種彈性波裝置，具備：

壓電體層，具有第一主面和與該第一主面對(duì)置的第二主面；

聲反射層，層疊在所述壓電體層的所述第一主面上；

激勵(lì)電極，設(shè)置在所述壓電體層；以及

支承層，

所述聲反射層位于在從所述壓電體層的所述第二主面?zhèn)鹊母┮曄轮辽倥c所述激勵(lì)電極重疊的位置，

所述支承層設(shè)置為至少在從所述壓電體層的第二主面?zhèn)鹊母┮曄掳鼑雎暦瓷鋵樱?/p>

所述聲反射層具有多個(gè)聲阻抗層，

在所述多個(gè)聲阻抗層中的至少一層的外側(cè)配置有空隙。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的彈性波裝置，其中，

所述支承層設(shè)置為在從所述壓電體層的所述第二主面?zhèn)鹊母┮曄掳鼑鰤弘婓w層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的彈性波裝置，其中，

所述多個(gè)聲阻抗層具有至少一層低聲阻抗層和聲阻抗比所述低聲阻抗層高的至少一層高聲阻抗層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的彈性波裝置，其中，

所述低聲阻抗層以及所述高聲阻抗層中的任一方為所述支承層的一部分。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的彈性波裝置，其中，

所述低聲阻抗層以及所述高聲阻抗層中的在外側(cè)配置有所述空隙的層是金屬層。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的彈性波裝置，其中，

所述空隙位于所述多個(gè)聲阻抗層中的在層疊方向上連續(xù)的至少兩層的外側(cè)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1、2、4以及5中的任一項(xiàng)所述的彈性波裝置，其中，

所述支承層具備具有底部的開(kāi)口部，

所述聲反射層與所述底部接觸。

8.根據(jù)權(quán)利要求1、2、4以及5中的任一項(xiàng)所述的彈性波裝置，其中，

所述激勵(lì)電極為IDT電極，并且所述IDT電極設(shè)置在所述壓電體層的所述第二主面。

9.根據(jù)權(quán)利要求1、2、4以及5中的任一項(xiàng)所述的彈性波裝置，其中，

所述激勵(lì)電極具有第一激勵(lì)電極、第二激勵(lì)電極，所述第一激勵(lì)電極設(shè)置在所述壓電體層的所述第一主面，所述第二激勵(lì)電極設(shè)置在所述第二主面。

10.根據(jù)權(quán)利要求1、2、4以及5中的任一項(xiàng)所述的彈性波裝置，其中，

還具備：加固基板，設(shè)置在所述支承層的與所述壓電體層側(cè)相反側(cè)。

11.根據(jù)權(quán)利要求1、2、4以及5中的任一項(xiàng)所述的彈性波裝置，其中，

所述聲反射層或者所述多個(gè)聲阻抗層中的至少一層為氧化硅。

12.一種彈性波裝置的制造方法，具備：

在具有第一主面和與該第一主面對(duì)置的第二主面并且由壓電體層構(gòu)成的母基板的所述第一主面上，層疊聲反射層的工序；

對(duì)所述聲反射層進(jìn)行圖案化，并分割為多個(gè)聲反射層的工序；

在所述母基板的所述第一主面上以及所述多個(gè)聲反射層上設(shè)置支承層的工序；

在所述母基板設(shè)置多個(gè)激勵(lì)電極的工序；以及

通過(guò)對(duì)所述支承層進(jìn)行劃片，從而分割為單個(gè)的彈性波裝置的工序，

設(shè)置所述支承層的工序，是將所述支承層設(shè)置為在從所述壓電體層的所述第二主面?zhèn)鹊母┮曄掳鼑魉雎暦瓷鋵拥墓ば颍?/p>

層疊所述聲反射層的工序，是將所述聲反射層設(shè)置于在從所述壓電體層的所述第二主面?zhèn)鹊母┮曄轮辽倥c各所述激勵(lì)電極重疊的位置的工序。