[發(fā)明專利]用于電阻式隨機存取存儲器陣列的寫入驅(qū)動器電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680014109.8
• 申請日: 2016-03-01
• 公開（公告）號: CN107408407B
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金俊培;金晟烈;金泰蕓
• 申請（專利權(quán)）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: G11C11/16
• 分類號: G11C11/16;G11C13/00
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種用于向電阻式隨機存取存儲器(RAM)陣列寫入數(shù)據(jù)的寫入驅(qū)動器電路，包括：

隔離電路，被耦合到：

電流源；以及

選擇器電路，被配置為選擇電阻式RAM陣列中的一個或者多個電阻式RAM位單元用于寫入操作；以及

預(yù)充電電路，被耦合到預(yù)充電電壓源和所述選擇器電路；

其中所述隔離電路被配置為：

接收控制信號；

如果所述控制信號指示用于所述寫入操作的寫入狀態(tài)，則將所述電流源耦合到所述選擇器電路，以向由所述選擇器電路選擇的所述一個或者多個電阻式RAM位單元提供寫入電壓；以及

如果所述控制信號不指示所述寫入狀態(tài)，則從所述選擇器電路去耦合所述電流源；

其中所述預(yù)充電電路被配置為：

如果所述控制信號指示用于預(yù)充電所述選擇器電路的預(yù)充電狀態(tài)，則將所述預(yù)充電電壓源耦合到所述選擇器電路，以向所述選擇器電路中的多個耦合元件提供預(yù)充電電壓；以及

如果所述控制信號不指示用于預(yù)充電所述選擇器電路的所述預(yù)充電狀態(tài)，則從所述選擇器電路中的所述多個耦合元件去耦合所述預(yù)充電電壓源。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寫入驅(qū)動器電路，其中所述多個耦合元件中的每個耦合元件包括：

位線(BL)晶體管，被耦合到所述電阻式RAM陣列中的相應(yīng)BL；以及

源極線(SL)晶體管，被耦合到所述電阻式RAM陣列中的相應(yīng)SL。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的寫入驅(qū)動器電路，其中所述隔離電路還被配置為：

如果所述控制信號指示所述寫入狀態(tài)，則將所述電流源耦合到所述選擇器電路中的一個或者多個BL晶體管和一個或者多個SL晶體管，以向由所述選擇器電路選擇的所述一個或者多個電阻式RAM位單元提供所述寫入電壓；以及

如果所述控制信號不指示所述寫入狀態(tài)，則從所述選擇器電路中的所述一個或者多個BL晶體管和所述一個或者多個SL晶體管去耦合所述電流源。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的寫入驅(qū)動器電路，其中所述隔離電路還被配置為：

如果所述控制信號指示所述寫入狀態(tài)，則將BL電流源和SL電流源耦合到所述選擇器電路中的一個或者多個BL晶體管和一個或者多個SL晶體管，以向由所述選擇器電路選擇的所述一個或者多個電阻式RAM位單元提供所述寫入電壓；以及

如果所述控制信號不指示所述寫入狀態(tài)，則分別從所述選擇器電路中的所述一個或者多個BL晶體管和所述一個或者多個SL晶體管去耦合所述BL電流源和所述SL電流源。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的寫入驅(qū)動器電路，其中所述預(yù)充電電路還被配置為：

如果所述控制信號指示所述預(yù)充電狀態(tài)，則將所述預(yù)充電電壓源耦合到所述選擇器電路中的每個BL晶體管和每個SL晶體管；以及

如果所述控制信號不指示所述預(yù)充電狀態(tài)，則從所述選擇器電路中的每個BL晶體管和每個SL晶體管去耦合所述預(yù)充電電壓源。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的寫入驅(qū)動器電路，其中所述寫入電壓大于所述預(yù)充電電壓。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的寫入驅(qū)動器電路，還包括：反相器，被配置為：

接收指示所述寫入狀態(tài)的所述控制信號；以及

生成用于從所述選擇器電路去耦合所述預(yù)充電電路的反相控制信號。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的寫入驅(qū)動器電路，還包括：反相器，被配置為：

接收指示所述預(yù)充電狀態(tài)的所述控制信號；以及

生成用于將所述預(yù)充電電路耦合到所述選擇器電路的反相控制信號。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寫入驅(qū)動器電路，其中所述電阻式RAM陣列是磁阻式RAM(MRAM)陣列。