[發(fā)明專利]以高溫聚合物接合劑接合至金屬基底的陶瓷靜電夾盤

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680011281.8
• 申請日: 2016-01-14
• 公開（公告）號: CN107258012B
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: V·D·帕科
• 申請（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/683
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖

本發(fā)明所描述的實施例提供一種基板支撐組件，基板支撐組件能夠進(jìn)行高溫處理。基板支撐組件包括通過接合層而固定到冷卻基底的靜電夾盤。接合層具有第一層和第二層。第一層具有包括約攝氏300度的溫度的操作溫度。第二層具有低于攝氏250度的最高操作溫度。

技術(shù)領(lǐng)域

本文描述的實施例一般涉及半導(dǎo)體制造，且更具體地涉及適合用于高溫半導(dǎo)體制造的基板支撐組件。

背景技術(shù)

可靠地生產(chǎn)納米和更小的特征是對于半導(dǎo)體組件的下一代大規(guī)模集成電路(VLSI)和超大規(guī)模集成電路(ULSI)的關(guān)鍵技術(shù)挑戰(zhàn)之一。然而，由于電路技術(shù)的限制被推進(jìn)，VLSI和ULSI互連技術(shù)的縮小尺寸對于處理能力提出額外需求。在基板上的閘極結(jié)構(gòu)的可靠形成對于VLSI和ULSI的成功和對于增加電路密度和個別基板和管芯的質(zhì)量之后續(xù)努力是重要的。

為壓低制造成本，集成芯片(IC)從每個經(jīng)處理的硅基板制造需求更高的產(chǎn)出和更好的組件產(chǎn)量和性能。正被探討用于在當(dāng)前的發(fā)展下的下一代裝置的一些制造技術(shù)需要在以高于攝氏300度的溫度處理。傳統(tǒng)的靜電夾盤通常被接合到在基板支撐組件中的冷卻板，其中接合劑的介電特性是對高溫敏感的。然而，傳統(tǒng)的靜電夾盤可在溫度接近攝氏250度或更高時遭遇基板支撐組件內(nèi)的接合問題。接合劑可能放出氣體到處理容積中，造成腔室中的污染，或可能有分層的問題。另外，接合劑可能完全失敗，造成基板支撐件中的真空損失或移動。腔室可能需要停機(jī)時間來修復(fù)這些缺陷，這影響了成本、產(chǎn)量和性能。

因此，存在有用于適合在處理溫度等于或高于攝氏250度時使用的改良的基板支撐組件的需求。

發(fā)明內(nèi)容

本文描述的實施例提供一種基板支撐組件，基板支撐組件能夠進(jìn)行高溫處理。基板支撐組件包括通過接合層而固定到冷卻基底的靜電夾盤。接合層具有第一層和第二層。第一層具有包括約攝氏300度的溫度的操作溫度。第二層具有低于攝氏250度的最高操作溫度。

在另一個實施例中，基板支撐組件包括通過接合層而固定到冷卻基底的靜電夾盤。接合層具有第一層、第二層和第三層。第一層與靜電夾盤接觸并具有包括約攝氏300度的溫度的操作溫度。第二層被設(shè)置在第一和第三層之間，并且具有低于攝氏250度的最高操作溫度。第三層被設(shè)置成與冷卻板接觸，并且具有低于第二層的最高操作溫度的最高操作溫度。

在又一實施例中，基板支撐組件包括固定到冷卻基底的靜電夾盤。金屬板是設(shè)置在靜電夾盤的底表面的下方。接合層是設(shè)置在金屬板和冷卻板的頂表面之間。接合層具有第一層和第二層。第一層與靜電夾盤接觸并具有包括約攝氏300度的溫度的操作溫度。第二層具有低于攝氏250度的最高操作溫度。

附圖說明

為使本發(fā)明的上述所載的特征可被詳細(xì)理解，可通過參照實施例而對上文概述的本發(fā)明作更具體的說明，其中一些實施例在附圖中示出。然而，應(yīng)注意附圖僅示出了本發(fā)明的通常實施例，且不因此被視為限制本發(fā)明的范圍，因為本發(fā)明可采用其他等效的實施例。

圖1是具有基板支撐組件的一個實施例的處理腔室的剖面示意性側(cè)視圖。

圖2是基板支撐組件的部分剖面示意性側(cè)視圖，詳細(xì)說明了設(shè)置在靜電基板支撐件和冷卻基底之間的接合層的一個實施例。

圖3示出了在靜電基板支撐件的底視圖中的電插座。

圖4是基板支撐組件的部分剖面示意性側(cè)視圖，詳細(xì)說明了設(shè)置在靜電基板支撐件和冷卻基底之間的接合層的另一個實施例。

為幫助理解，在可能的情況下，使用相同的附圖標(biāo)記來表示附圖中相同的組件。可預(yù)期的是在一個實施例中公開的組件可被有利地使用于其他實施例而無需具體地敘述。

具體實施方式