[發明專利]用于圖案化的掩模蝕刻

有效

• 申請號: 201680011245.1
• 申請日: 2016-01-21
• 公開（公告）號: CN107278324B
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發明（設計）人: G·李;L·陳
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/67
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖

1.一種制造電子裝置的方法，包含以下步驟：

在基板上方的特征層上沉積第一硬掩模層，所述第一硬掩模層包含有機掩模層；

在高于室溫的第一溫度下使用包含鹵元素和氧元素的第一等離子體在所述第一硬掩模層中形成開口，以暴露出所述特征層的一部分，所述開口具有輪廓和臨界直徑，其中形成所述開口包括用以保持所述開口的所述輪廓和所述臨界直徑中至少一個的第一蝕刻操作、第二蝕刻操作和第三蝕刻操作，其中用以在所述第一蝕刻操作提供所述氧元素的氣體流動速率大于用以在所述第二蝕刻操作提供所述氧元素的氣體流動速率，所述用以在所述第二蝕刻操作提供所述氧元素的氣體流動速率大于用以在所述第三蝕刻操作提供所述氧元素的氣體流動速率；以及

提高所述第一溫度以調諧所述輪廓和所述臨界直徑中的至少一個。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述有機掩模層包含摻雜劑。

3.如權利要求1所述的方法，進一步包含

在所述第一硬掩模層上沉積第二硬掩模層；以及

使用第二等離子體在所述第二硬掩模層中形成開口。

4.如權利要求1所述的方法，其中所述特征層包含一個或更多個絕緣層、一個或更多個導電層、一個或更多個半導體層、或上述的任意組合。

5.如權利要求1所述的方法，進一步包含

調整一個或更多個參數來控制所述開口的所述輪廓、所述開口的所述臨界直徑、或者所述開口的所述輪廓和所述臨界直徑，所述一個或更多個參數包含氣體流動速率、偏壓功率、壓力、電源、時間、或上述的任意組合。

6.如權利要求1所述的方法，進一步包含

使用所述第一等離子體在所述開口的側壁上形成鈍化層。

7.一種制造電子裝置的方法，包含以下步驟：

將第一氣體供應至腔室，所述第一氣體用以提供包含鹵元素和氧元素的第一等離子體；

在第一溫度下使用所述鹵元素和所述氧元素蝕刻有機掩模層，以形成開口從而暴露出絕緣層的一部分，所述有機掩模層在基板上方的所述絕緣層上包含摻雜劑，所述開口具有輪廓和臨界直徑，其中蝕刻所述有機掩模層包括用以保持所述輪廓和所述臨界直徑中至少一個的第一蝕刻操作、第二蝕刻操作和第三蝕刻操作，其中用以在所述第一蝕刻操作提供所述氧元素的所述第一氣體的流動速率大于用以在所述第二蝕刻操作提供所述氧元素的所述第一氣體的流動速率，所述用以在所述第二蝕刻操作提供所述氧元素的所述第一氣體的流動速率大于用以在所述第三蝕刻操作提供所述氧元素的所述第一氣體的流動速率；以及

提高所述第一溫度以調諧所述輪廓和所述臨界直徑中的至少一個，其中所述第一溫度大于室溫。

8.如權利要求7所述的方法，其中蝕刻所述有機掩模層包含移除第二氣體，所述第二氣體包含與所述鹵元素耦合的所述摻雜劑。

9.如權利要求7所述的方法，其中所述絕緣層包含氧化物層、氮化物層、或者上述的任意組合。

10.如權利要求7所述的方法，進一步包含

供應第二氣體，以將第二等離子體提供到所述腔室；以及

在比所述第一溫度低的第二溫度下使用所述第二等離子體在所述有機掩模層上蝕刻抗反射涂層。

11.如權利要求7所述的方法，進一步包含

使用所述第一等離子體在所述開口的側壁上形成鈍化層。

12.如權利要求7所述的方法，進一步包含

供應第三氣體，以將第三等離子體提供到所述腔室中；以及

使用所述第三等離子體蝕刻所述絕緣層的暴露部分。