[發明專利]存儲器單元

有效

• 申請號: 201680010690.6
• 申請日: 2016-01-13
• 公開（公告）號: CN107251223B
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發明（設計）人: 卡邁勒·M·考爾道;陶謙;杜賴·維沙克·尼馬爾·拉馬斯瓦米;劉海濤;柯爾克·D·普拉爾;阿紹尼塔·A·恰范
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L27/11507
• 分類號: H01L27/11507;H01L49/02
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 路勇

1.一種存儲器單元，其包括：

選擇裝置；

電容器，其與所述選擇裝置串聯電耦合，所述電容器包括兩個導電電容器電極，所述兩個導電電容器電極具有介于其之間的鐵電材料，所述電容器包括從所述電容器電極中的一者穿過所述鐵電材料而到另一電容器電極的本征電流泄漏路徑；及

平行電流泄漏路徑，其從所述電容器電極中的所述一者到所述另一電容器電極，所述平行電流泄漏路徑電路平行于所述本征電流泄漏路徑且具有比所述本征電流泄漏路徑低的總電阻，所述平行電流泄漏路徑不直接抵靠所述鐵電材料，其中所述平行電流泄漏路徑具有在所述兩個導電電容器電極之間的所述鐵電材料的最小厚度的5％內的最小長度。

2.根據權利要求1所述的存儲器單元，其中在操作中，當所述存儲器單元閑置時，所述選擇裝置展現電流泄漏，所述平行電流泄漏路徑經配置使得所述存儲器單元閑置時通過所述平行電流泄漏路徑的電流大于或等于所述存儲器單元閑置時的所述選擇裝置的所述電流泄漏。

3.根據權利要求2所述的存儲器單元，其中所述平行電流泄漏路徑經配置使得所述存儲器單元閑置時通過所述平行電流泄漏路徑的電流不多于1毫微安。

4.根據權利要求1所述的存儲器單元，其中所述平行電流泄漏路徑具有0.4eV到5.0eV的主導帶隙，且所述主導帶隙小于所述鐵電材料的主導帶隙。

5.根據權利要求1所述的存儲器單元，其中在操作中，閑置時橫跨所述電容器的任何電壓差使得所述鐵電材料中的任何電場比所述鐵電材料的本征矯頑場低至少20倍。

6.根據權利要求1所述的存儲器單元，其中所述平行電流泄漏路徑包括介于所述兩個導電電容器電極之間的非線性電阻器，所述非線性電阻器在較高電壓處展現比較低電壓處的電阻高的電阻。

7.根據權利要求1所述的存儲器單元，其中所述平行電流泄漏路徑具有大于所述兩個導電電容器電極之間的所述鐵電材料的最小厚度的最小長度。

8.根據權利要求7所述的存儲器單元，其中所述鐵電材料的主導帶隙等于或小于所述平行電流泄漏路徑的主導帶隙。

9.一種存儲器單元，其包括：

選擇裝置；

電容器，其與所述選擇裝置串聯電耦合，所述電容器包括兩個導電電容器電極，所述兩個導電電容器電極具有介于其之間的鐵電材料，所述電容器包括從所述電容器電極中的一者穿過所述鐵電材料而到另一電容器電極的本征電流泄漏路徑；及

平行電流泄漏路徑，其從所述電容器電極中的所述一者到所述另一電容器電極，所述平行電流泄漏路徑電路平行于所述本征電流泄漏路徑，所述平行電流泄漏路徑具有0.4eV到5.0eV的主導帶隙，所述平行電流泄漏路徑直接抵靠所述鐵電材料，其中所述平行電流泄漏路徑具有兩個橫向側，且所述兩個橫向側中的每一者直接抵靠所述鐵電材料。

10.根據權利要求9所述的存儲器單元，其中所述平行電流泄漏路徑的所述主導帶隙小于所述鐵電材料的主導帶隙。

11.根據權利要求9所述的存儲器單元，其中所述平行電流泄漏路徑主要包括非晶硅、多晶硅及鍺中的一或多者。

12.根據權利要求9所述的存儲器單元，其中所述平行電流泄漏路徑主要包括一或多種硫屬化物。

13.根據權利要求9所述的存儲器單元，其中所述平行電流泄漏路徑主要包括富硅氮化硅、富硅氧化硅，及摻雜有導電性增強摻雜物的本征電介質材料中的一或多者。

14.根據權利要求9所述的存儲器單元，其中所述兩個導電電容器電極之間的所述平行電流泄漏路徑是均質的。