[發(fā)明專利]用于感應(yīng)式功率傳輸?shù)南到y(tǒng)的功率傳輸單元、制造及操作功率傳輸單元的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680010587.1
• 申請日: 2016-02-15
• 公開（公告）號: CN107251174B
• 公開（公告）日: 2019-03-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: K·沃羅諾維茨;R·查因斯基
• 申請（專利權(quán)）人: 龐巴迪無接觸運行有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01F38/14
• 分類號: H01F38/14
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 周家新;蔡洪貴

1.一種用于感應(yīng)式功率傳輸?shù)南到y(tǒng)的功率傳輸單元，其中，所述功率傳輸單元包括繞組結(jié)構(gòu)(1)，其中，功率傳輸單元還包括用于引導(dǎo)電磁場的磁通量的至少一個磁通引導(dǎo)裝置(3)，

其中，

所述至少一個磁通引導(dǎo)裝置包括或提供具有第一磁阻的至少一個低磁阻區(qū)段和具有另外的磁阻的至少一個高磁阻區(qū)段，其中，所述另外的磁阻高于第一磁阻，其中，所述至少一個高磁阻區(qū)段平行于繞組結(jié)構(gòu)(1)的橫向軸線(y)延伸，功率傳輸繞組結(jié)構(gòu)(1)包括第一子繞組(2a)和至少一個另外的子繞組(2b)，其中，第一子繞組(2a)和至少一個另外的子繞組(2b)布置成沿縱向軸線(x)彼此鄰近，其中，第一子繞組(2a)的繞組區(qū)段和所述另外的子繞組(2b)的繞組區(qū)段(7b)彼此平行地且沿著橫向軸線(y)延伸并且在共同的繞組區(qū)段內(nèi)彼此鄰近地布置，其中，如果電流流過子繞組結(jié)構(gòu)(2a、2b)則繞組結(jié)構(gòu)(1)的子繞組結(jié)構(gòu)(2a、2b)就提供極點，其中，所述至少一個高磁阻區(qū)段布置在所述共同的繞組區(qū)段之下，其中，所述至少一個高磁阻區(qū)段由兩個低磁阻區(qū)段之間的間隙(6)提供，

其特征在于，

所述至少一個高磁阻區(qū)段的幾何中心或中心線布置在由繞組結(jié)構(gòu)(1)提供的兩個相鄰極點之間的中心平面內(nèi)，其中，所述間隙(6)沿磁通引導(dǎo)裝置在橫向軸線(y)的方向上的總寬度延伸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率傳輸單元，其特征在于，所述至少一個磁通引導(dǎo)裝置(3)設(shè)計為磁通引導(dǎo)層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的功率傳輸單元，其特征在于，所述磁通引導(dǎo)裝置包括一個或一個以上的鐵素體條(4)或鐵素體板，其中，所述鐵素體條或鐵素體板(4)平行于繞組結(jié)構(gòu)(1)的縱向軸線(x)延伸。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-2中任一項所述的功率傳輸單元，其特征在于，所述至少一個高磁阻區(qū)段至少部分地通過所述至少一個磁通引導(dǎo)裝置(3)的垂直于所述縱向軸線(x)的截面的面積的減小來提供。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的功率傳輸單元，其特征在于，所述至少一個高磁阻區(qū)段至少部分地通過所述至少一個磁通引導(dǎo)裝置(3)的垂直于所述縱向軸線(x)的截面的面積的減小來提供。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-2中任一項所述的功率傳輸單元，其特征在于，所述功率傳輸單元包括用于控制磁通引導(dǎo)裝置(3)中的磁通的至少一個磁通控制裝置。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的功率傳輸單元，其特征在于，所述功率傳輸單元包括用于控制磁通引導(dǎo)裝置(3)中的磁通的至少一個磁通控制裝置。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的功率傳輸單元，其特征在于，所述功率傳輸單元包括用于控制磁通引導(dǎo)裝置(3)中的磁通的至少一個磁通控制裝置。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-2中任一項所述的功率傳輸單元，其特征在于，所述至少一個高磁阻區(qū)段關(guān)于由所述繞組結(jié)構(gòu)(1)提供的兩個相鄰極之間的中心平面對稱地布置。

10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的功率傳輸單元，其特征在于，所述至少一個高磁阻區(qū)段關(guān)于由所述繞組結(jié)構(gòu)(1)提供的兩個相鄰極之間的中心平面對稱地布置。

11.根據(jù)權(quán)利要求4所述的功率傳輸單元，其特征在于，所述至少一個高磁阻區(qū)段關(guān)于由所述繞組結(jié)構(gòu)(1)提供的兩個相鄰極之間的中心平面對稱地布置。

12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的功率傳輸單元，其特征在于，所述至少一個高磁阻區(qū)段關(guān)于由所述繞組結(jié)構(gòu)(1)提供的兩個相鄰極之間的中心平面對稱地布置。

13.根據(jù)權(quán)利要求1-2中任一項所述的功率傳輸單元，其特征在于，所述至少一個高磁阻區(qū)段的沿著繞組結(jié)構(gòu)(1)的縱向軸線(x)的長度大于0.0mm，小于或等于30.0mm。