[發(fā)明專利]圖像對(duì)數(shù)斜率(ILS)優(yōu)化

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201680010247.9
• 申請(qǐng)日: 2016-02-09
• 公開（公告）號(hào): CN107430347B
• 公開（公告）日: 2020-04-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 段福·史蒂芬·蘇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/20
• 分類號(hào): G03F7/20
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 胡良均

本文中披露一種用以對(duì)使用光刻投影設(shè)備將設(shè)計(jì)布局的一部分成像至襯底上的光刻工藝加以改進(jìn)的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法，該方法包含：計(jì)算多變量成本函數(shù)，該多變量成本函數(shù)是空間圖像或抗蝕劑/光刻膠圖像的特性的隨機(jī)變化的函數(shù)，或是變量的函數(shù)，該變量是該隨機(jī)變化的函數(shù)或影響該隨機(jī)變化，該隨機(jī)變化是多個(gè)設(shè)計(jì)變量的函數(shù)，該多個(gè)設(shè)計(jì)變量表示該光刻工藝的特性；以及通過調(diào)整一個(gè)或更多個(gè)所述設(shè)計(jì)變量中的一個(gè)或更多個(gè)直至滿足某一終止條件為止，來重新配置該光刻工藝的所述特性中的一個(gè)或更多個(gè)。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)主張2015年2月13日提交的美國臨時(shí)申請(qǐng)62/116,048的權(quán)益，并且它通過援引而全文合并到本發(fā)明中。

技術(shù)領(lǐng)域

本文的說明書涉及光刻設(shè)備和過程，并且更具體地涉及用以優(yōu)化用于光刻設(shè)備或過程中的照射和/或圖案形成裝置/設(shè)計(jì)布局的方法或設(shè)備。

背景技術(shù)

可以將光刻投影設(shè)備用在例如集成電路(IC)的制造中。在這種情形中，圖案形成裝置(例如掩模)可以包含或提供對(duì)應(yīng)于IC的單個(gè)層的的電路圖案(“設(shè)計(jì)布局”)，并且這一電路圖案可以通過例如穿過圖案形成裝置上的電路圖案輻射目標(biāo)部分的方法，被轉(zhuǎn)移到已經(jīng)涂覆有輻射敏感材料(“抗蝕劑”)層的襯底(例如硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如包括一個(gè)或更多的管芯)上。通常，單個(gè)襯底包含被經(jīng)由光刻投影設(shè)備連續(xù)地、一次一個(gè)目標(biāo)部分地將電路圖案轉(zhuǎn)移到其上的多個(gè)相鄰目標(biāo)部分。在一種類型的光刻投影設(shè)備中，整個(gè)圖案形成裝置上的電路圖案一下子被轉(zhuǎn)移到一個(gè)目標(biāo)部分上，這樣的設(shè)備通常稱作為晶片步進(jìn)機(jī)。在一種替代的設(shè)備(通常稱為步進(jìn)掃描設(shè)備)中，投影束沿給定的參考方向(“掃描”方向)在圖案形成裝置上掃描，同時(shí)沿與該參考方向平行或反向平行的方向同步移動(dòng)襯底。圖案形成裝置上的電路圖案的不同部分漸進(jìn)地轉(zhuǎn)移到一個(gè)目標(biāo)部分上。因?yàn)橥ǔ９饪掏队霸O(shè)備將具有放大率因子M(通常＜1)，所以襯底被移動(dòng)的速度F將是投影束掃描圖案形成裝置的速度的M倍。關(guān)于在此處描述的光刻裝置的更多的信息可以例如參見美國專利No.6,046,792，在此處通過參考將其并入本文中。

在將電路圖案從圖案形成裝置轉(zhuǎn)移至襯底之前，襯底可能經(jīng)歷各種工序，諸如涂底、抗蝕劑涂覆以及軟焙烤。在曝光之后，襯底可能經(jīng)歷其它工序，例如曝光后焙烤(PEB)、顯影、硬焙烤以及對(duì)所轉(zhuǎn)移的電路圖案的測(cè)量/檢驗(yàn)。這一系列的工序被用作為制造器件(例如IC)的單個(gè)層的基礎(chǔ)。之后襯底可能經(jīng)歷各種過程，諸如蝕刻、離子注入(摻雜)、金屬化、氧化、化學(xué)機(jī)械拋光等，所有的這些工序都是用于最終完成器件的單個(gè)層。如果器件需要多個(gè)層，則針對(duì)每一層重復(fù)整個(gè)工序或其變形。最終，器件將設(shè)置在襯底上的每一目標(biāo)部分中。之后這些器件通過諸如切片或切割等技術(shù)，將這些器件彼此分開，據(jù)此獨(dú)立的器件可以安裝在載體上，連接至引腳等。

如注意到的，微光刻術(shù)是集成電路的制造中的核心步驟，其中在襯底上形成的圖案限定了IC的功能元件，諸如微處理器、存儲(chǔ)器芯片等。類似的光刻技術(shù)也用于形成平板顯示器、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)以及其它器件。

隨著半導(dǎo)體制造工藝持續(xù)進(jìn)展，在數(shù)十年來，功能元件的尺寸被不斷地降低，同時(shí)每一器件的功能元件(諸如晶體管)的數(shù)量一直遵循通常稱為“摩爾定律”的趨勢(shì)而穩(wěn)步地增長。在現(xiàn)有技術(shù)的情形下，通過使用光刻投影設(shè)備來制造器件的層，該光刻投影設(shè)備使用來自深紫外照射源的照射將設(shè)計(jì)布局投影到襯底上，從而產(chǎn)生具有充分地低于100nm的尺寸的獨(dú)立的功能元件，即該功能元件的尺寸小于照射源(例如，193nm照射源)的輻射的波長的一半。