[發明專利]共振的裝置、含裝置的組及操作方法和等離子體產生設備有效
| 申請號: | 201680010098.6 | 申請日: | 2016-01-15 |
| 公開(公告)號: | CN107430976B | 公開(公告)日: | 2019-10-11 |
| 發明(設計)人: | A·F·塞爾莫 | 申請(專利權)人: | A·F·塞爾莫;D·帕瓦林;F·特雷佐拉尼;M·馬嫩特 |
| 主分類號: | H01J37/32 | 分類號: | H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 呂俊剛;楊薇 |
| 地址: | 意大利*** | 國省代碼: | 意大利;IT |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固有 設計 共振 適于 rf 功率 傳送 裝置 以及 包括 這種 用于 產生 等離子體 | ||
1.一種被固有地設計為共振的裝置(2),所述裝置適于射頻功率傳送,能夠用于產生等離子體,并且能夠電連接在具有固定頻率或可變頻率的射頻電源(3)的下游,所述裝置(2)包括:
至少一個電感元件Lp,所述至少一個電感元件Lp在使用時能夠由至少一個射頻電源(3)供電;
至少一個電容元件Cp,所述至少一個電容元件Cp電連接在所述至少一個電感元件Lp的端子處;
被固有地設計為共振的所述裝置(2)具有等于的共振角頻率,
其特征在于,
所述電容元件Cp和所述電感元件Lp各具有使得在共振狀態下,電容元件和電感元件提供在所述裝置(2)的端子處測量的等效阻抗的值,所述等效阻抗為電阻式,并且遠高于在所述裝置(2)的端子上游的寄生阻抗,使得所述寄生阻抗的效應在使用中能夠忽略。
2.根據權利要求1所述的裝置,其中,所述至少一個電感元件Lp能夠由所述射頻電源(3)直接供電,即在沒有另外電氣部件的插入的情況下供電。
3.根據權利要求1所述的裝置,所述裝置包括至少一個變壓器或自耦變壓器(4),該變壓器或自耦變壓器依次包括:所述一個變壓器或自耦變壓器(4)的一個初級電路,所述初級電路設置有具有n1匝的至少一個線圈(L1);以及一個次級電路,所述次級電路設置有具有n2匝的至少一個電感元件Lp,所述初級電路的線圈(L1)能夠由所述射頻電源(3)直接供電。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的裝置,所述裝置包括至少一個支撐結構(5),所述至少一個支撐結構(5)由電絕緣材料制成,具有一個內表面(5a)、一個外表面(5b),所述支撐結構(5)在內部定界用于所述裝置的工作區域(5c)。
5.根據權利要求1至3中任一項所述的裝置,其中,所述至少一個電感元件Lp由支撐結構來支撐,所述支撐結構縱向圍繞所述至少一個電感元件且與所述至少一個電感元件接觸。
6.根據權利要求5所述的裝置,其中,所述至少一個電容元件Cp包括外部電容器(9),所述外部電容器(9)電連接到所述至少一個電感元件Lp,并且在外部且距所述支撐結構(5)一距離地被支撐。
7.根據權利要求6所述的裝置,其中,所述外部電容器(9)的電極直接連接在所述電感元件(8)的端子處,即在沒有另外電氣部件的插入的情況下連接在所述電感元件(8)的端子處。
8.根據權利要求7所述的裝置,其中,所述電極具有10mm2-20mm2的截面,具有小于或等于10cm-15cm的長度。
9.根據權利要求4所述的裝置,其中,所述至少一個電容元件Cp被集成在所述支撐結構(5)內。
10.根據權利要求9所述的裝置,其中,所述電容元件Cp包括由導電材料制成的至少一對板狀元件(10、11),所述一對板狀元件在其一端及相反側處應用于所述支撐結構(5),所述板狀元件(10、11)從而形成其間具有電介質材料的電容器(C’x)的兩個板。
11.根據權利要求4所述的裝置,其中,所述至少一個電容元件Cp包括由導電材料制成的兩對板狀元件(10、11),所述兩對板狀元件中一對相對于所述支撐結構(5)內部應用,并且一對相對于所述支撐結構(5)外部應用,各對板狀元件(10、11)應用于所述支撐結構(5)的一端處,并且借助于由導電材料制成的至少一個連接元件(12)串聯電連接到另一對,各對從而形成其間具有電介質材料的兩個電容器(C’x),并且串聯電連接在所述至少一個電容元件Lp的端子處。
12.根據權利要求4所述的裝置,其中,所述至少一個電容元件Cp由所述至少一個電感元件Lp的寄生電容(Cx)給出。
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