[發明專利]用于保護要由電網運行的單元免受過壓的電路裝置有效
| 申請號: | 201680009612.4 | 申請日: | 2016-01-28 |
| 公開(公告)號: | CN107210298B | 公開(公告)日: | 2019-03-01 |
| 發明(設計)人: | F·朔爾克;R·布羅克;T·伯姆;D·多瑙爾 | 申請(專利權)人: | 德恩及索恩兩合股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H02H9/04;H03K5/08;H03K17/12 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 劉盈 |
| 地址: | 德國諾*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 保護 電網 運行 單元 受過 電路 裝置 | ||
1.用于保護要由電網運行的單元免受過壓的電路裝置,所述電路裝置具有包括第一和第二輸入連接端的輸入端和包括第一和第二輸出連接端的輸出端以及具有保護電路,所述第一和第二輸入連接端與電網連接,要保護的單元能連接在所述第一和第二輸出連接端上,所述保護電路設置在第一和第二輸入連接端之間,以便限制施加在所述保護電路上的電壓,并且所述保護電路具有由雙向二極管或晶閘管二極管以及由齊納元件組成的串聯電路,
其特征在于,保護電路具有功率半導體,其中在功率半導體的集電極與門極之間連接有由所述雙向二極管或所述晶閘管二極管以及由所述齊納元件組成的串聯電路,其中齊納電壓和雙向二極管電壓的和產生用于功率半導體的鉗位電壓,該鉗位電壓位于電網的電壓之上并且限定保護電平,所述功率半導體是IGBT,與所述IGBT并聯連接有晶閘管,其中,晶閘管的陽極連接在IGBT的集電極上,而晶閘管的陰極連接在IGBT的發射極上,其中,晶閘管的門極與IGBT的門極連接。
2.根據權利要求1所述的電路裝置,其特征在于,所述保護電路通過與輸入端連接的二極管橋供電,從而可消散負和正的過壓脈沖。
3.根據權利要求1所述的電路裝置,其特征在于,在晶閘管的陰極與IGBT的發射極之間設有滅弧電容器。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





