[發(fā)明專利]膜、其制造方法以及使用該膜的半導(dǎo)體元件的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680008936.6
• 申請日: 2016-02-02
• 公開（公告）號: CN107210236B
• 公開（公告）日: 2019-06-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 小寺省吾;笠井涉;鈴木政己
• 申請（專利權(quán)）人: AGC株式會社
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/29;H01L23/31;H01L23/433;H01L23/495;H01L27/14;C08G18/48;C08G18/62;C08G18/75;C08G18/79;C08G18/80;C08K5/00;C08K5/43
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 溫劍;張佳鑫

1.適合作為半導(dǎo)體元件制造用的脫模膜的膜，它是具有基材以及設(shè)置在所述基材的一面上的粘接層的膜，其特征在于，

所述基材的180℃時的儲能模量為10～100MPa，

所述粘接層是含有具有羥基的丙烯酸類聚合物和多官能異氰酸酯化合物的粘接層用組合物的反應(yīng)固化物，

所述丙烯酸類聚合物的羥基與羧基的總當(dāng)量在2000g/摩爾以下，

所述粘接層用組合物中的M_COOH/(M_NCO-M_OH)為0～1.0，

M_NCO/(M_COOH+M_OH)為0.4～3.5，其中，M_OH是來源于所述丙烯酸類聚合物的羥基的摩爾數(shù)M_OH，M_COOH是來源于所述丙烯酸類聚合物的羧基的摩爾數(shù)，M_NCO是來源于所述多官能異氰酸酯化合物的異氰酸酯基的摩爾數(shù)。

2.如權(quán)利要求1所述的膜，其特征在于，所述丙烯酸類聚合物的質(zhì)均分子量為10萬～120萬。

3.如權(quán)利要求1或2所述的膜，其特征在于，所述多官能異氰酸酯化合物具有異氰脲酸酯環(huán)。

4.如權(quán)利要求1所述的膜，其特征在于，所述粘接層的180℃時的儲能模量為2～20MPa。

5.如權(quán)利要求1所述的膜，其特征在于，由所述粘接層的基重W1(g/m²)和該膜經(jīng)過以下溶解試驗后殘存的粘接層的基重W2(g/m²)通過下式求出的所述粘接層的不溶度為40～90％，

不溶度(％)＝(W2/W1)×100

溶解試驗

將膜浸漬于20～25℃的二氯甲烷中，攪拌1天；將1天的攪拌結(jié)束后的膜在另外的20～25℃的二氯甲烷中浸漬10分鐘以洗凈；對洗凈后的膜以100℃真空干燥2小時。

6.如權(quán)利要求1所述的膜，其特征在于，所述基材含有乙烯-四氟乙烯共聚物。

7.如權(quán)利要求1所述的膜，其特征在于，所述基材的厚度為50～100μm，所述粘接層的厚度為0.5～15μm。

8.如權(quán)利要求1所述的膜，其特征在于，所述粘接層用組合物還含有防靜電劑。

9.如權(quán)利要求1所述的膜，其特征在于，所述基材與所述粘接層之間具有防靜電層。

10.如權(quán)利要求1所述的膜，其特征在于，所述膜是在制造被密封樹脂密封的半導(dǎo)體元件的密封工序中使用的脫模膜。

11.如權(quán)利要求10所述的膜，其特征在于，由所述密封樹脂密封的半導(dǎo)體元件是半導(dǎo)體芯片、源電極或密封玻璃的表面的一部分從密封樹脂露出的半導(dǎo)體元件。

12.如權(quán)利要求10或11所述的膜，其特征在于，所述膜是在所述密封工序中使固化性樹脂在模具內(nèi)固化而形成密封樹脂時以脫模膜的基材側(cè)的面與模具內(nèi)面接觸、半導(dǎo)體芯片的該表面的一部分與脫模膜的粘接層的面接觸的方式進(jìn)行使用的脫模膜。