[發(fā)明專利]功率晶體管的具有可變條帶寬度的稀釋漂移層

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680008805.8
• 申請日: 2016-03-28
• 公開（公告）號: CN107534055B
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發(fā)明（設計）人: 張永熙;薩米爾·P·佩恩達爾卡爾;斯科特·G·巴爾斯特
• 申請（專利權(quán)）人: 德州儀器公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11287
• 代理人: 林斯凱

1.一種多指橫向高電壓晶體管MFLHVT，其包括：

在被摻雜成第一摻雜劑類型的襯底上包含以下各項的堆疊：井，其被摻雜成第二摻雜劑類型；埋入漂移層BDL，其被摻雜成所述第一摻雜劑類型、具有包含多個稀釋條帶的稀釋BDL部分DBDL；半導體表面，其在所述BDL上被摻雜成所述第二摻雜劑類型；

電介質(zhì)隔離區(qū)，其至少部分地在所述半導體表面中、具有界定在第一電介質(zhì)間隙區(qū)中的第一作用區(qū)域及在第二電介質(zhì)間隙區(qū)中的第二作用區(qū)域的間隙；

漏極，其包含在所述第二電介質(zhì)間隙區(qū)中具有漏極指尖的多個漏極指，所述漏極與源極互相交叉，所述源極包含在所述第一電介質(zhì)間隙區(qū)中具有源極指尖的多個源極指，所述漏極指及所述源極指各自被摻雜成所述第二摻雜劑類型；

指尖漂移區(qū)FDR，其在所述第一電介質(zhì)間隙區(qū)與所述第二電介質(zhì)間隙區(qū)之間與所述漏極指尖及所述源極指尖中的至少一者相關(guān)聯(lián)，其內(nèi)有所述DBDL；

在所述半導體表面中的上部電流溝道及在所述井中的下部電流溝道，所述上部電流溝道及所述下部電流溝道兩者均在所述源極與所述漏極之間；及

至少第一柵極堆疊，其在所述半導體表面上位于所述源極與所述漏極之間；

其中所述多個稀釋條帶中的每一者具有不同條帶寬度，其中所述不同條帶寬度隨漂移長度單調(diào)地增加。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MFLHVT，其中與所述源極指尖相關(guān)聯(lián)的所述FDR的所述不同條帶寬度隨相對于所述FDR與線性漂移區(qū)的邊界的角度θ的增加單調(diào)地增加，從而在90度下具有最大寬度，且其中與所述漏極指尖相關(guān)聯(lián)的所述FDR的所述不同條帶寬度隨相對于所述FDR與線性漂移區(qū)的邊界的角度θ的增加單調(diào)地減小，從而在90度下具有最小寬度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MFLHVT，其中所述FDR包含源極FDR及漏極FDR。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MFLHVT，其進一步包括在所述半導體表面中被摻雜成所述第一摻雜劑類型的頂部表面層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MFLHVT，其中所述第一柵極堆疊包含分裂柵極，所述分裂柵極包含第一柵極堆疊及橫向于所述第一柵極堆疊的第二柵極堆疊。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MFLHVT，其中所述MFLHVT包含漏極延伸MOSDEMOS晶體管。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MFLHVT，其中所述MFLHVT包含橫向擴散MOS LDMOS晶體管。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MFLHVT，其中所述襯底包含硅且所述第一柵極堆疊的柵極電極包含多晶硅。