[發明專利]電子裝置、存儲器單元及使電流流動的方法

有效

• 申請號: 201680008549.2
• 申請日: 2016-01-11
• 公開（公告）號: CN107251148B
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: K·M·考爾道;M·米洛耶維奇;D·H·韋爾斯;F·D·吉利
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00;G11C11/22;H01L45/00
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 路勇

1.一種電子裝置，其包括：

兩個導電電極；

第一電流路徑，其從所述電極中的一個電極通到另一電極，所述第一電流路徑具有0.5eV到3.0eV的主導熱活化傳導活化能；及

第二電流路徑，其從所述一個電極通到所述另一電極，所述第二電流路徑與所述第一電流路徑呈電路并聯式，所述第二電流路徑對于在300℃與800℃之間、在不超過50℃的溫度范圍內升溫的情況下在導電率方面呈現最小值100倍的增加，且對于在所述50℃的溫度范圍內降溫的情況下在導電率方面呈現最小值100倍的減少。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中所述第二電流路徑中的導電率的所述最小值100倍的增加及導電率的所述最小值100倍的減少與所述50℃的溫度范圍內的溫度改變速率無關。

3.根據權利要求1所述的裝置，其中在所述最小值100倍的已增加狀態中的所述第二電流路徑具有至少10西門子/厘米的導電率。

4.根據權利要求1所述的裝置，其中所述第二電流路徑對于在所述50℃的溫度范圍內升溫的情況下在導電率方面呈現最小值1,000倍的增加，且對于在所述50℃的溫度范圍內降溫的情況下在導電率方面呈現最小值1,000倍的減少。

5.根據權利要求1所述的裝置，其中所述第二電流路徑對于在所述50℃的溫度范圍內升溫的情況下在導電率方面呈現最小值10,000倍的增加，且對于在所述50℃的溫度范圍內降溫的情況下在導電率方面呈現最小值10,000倍的減少。

6.根據權利要求1所述的裝置，其中所述50℃的溫度范圍完全在400℃到500℃的范圍內。

7.根據權利要求1所述的裝置，其中所述50℃的溫度范圍完全在500℃到600℃的范圍內。

8.根據權利要求1所述的裝置，其中在所述第二電流路徑中發生導電率的所述最小值100倍的增加及導電率的所述最小值100倍的減少的所述溫度范圍是300℃與800℃之間不超過35℃。

9.根據權利要求1所述的裝置，其中在所述第二電流路徑中發生導電率的所述最小值100倍的增加及導電率的所述最小值100倍的減少的所述溫度范圍是300℃與800℃之間不超過25℃。

10.根據權利要求1所述的裝置，其中所述第一電流路徑及所述第二電流路徑彼此直接抵靠。

11.根據權利要求1所述的裝置，其中所述第一電流路徑及所述第二電流路徑不彼此直接抵靠。

12.根據權利要求1所述的裝置，其中所述兩個電極之間的所述第二電流路徑是均質的。

13.根據權利要求1所述的裝置，其中所述兩個電極之間的所述第二電流路徑是非均質的。

14.根據權利要求1所述的裝置，其中所述裝置是垂直裝置，且所述第一電流路徑及所述第二電流路徑彼此橫向擱置。

15.根據權利要求1所述的裝置，其中所述第二電流路徑在低于300℃的情況下具有不超過0.1西門子/厘米的導電率。

16.根據權利要求1所述的裝置，其中所述第一電流路徑主要包括非晶硅、多晶硅、鍺及硫屬化物玻璃中的一或多者。

17.根據權利要求1所述的裝置，其中所述第二電流路徑主要包括一或多個莫特絕緣體。

18.根據權利要求17所述的裝置，其中所述莫特絕緣體包括氧化釩。