[發(fā)明專利]場效應(yīng)裝置、相關(guān)的裝置和方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201680008545.4 | 申請日: | 2016-01-28 |
| 公開(公告)號: | CN107278330B | 公開(公告)日: | 2021-06-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | S·哈克 | 申請(專利權(quán))人: | 諾基亞技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L29/06 | 分類號: | H01L29/06;H01L29/49;H01L29/786 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務(wù)所 11247 | 代理人: | 付秋瑜;楊曉光 |
| 地址: | 芬蘭*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 場效應(yīng) 裝置 相關(guān) 方法 | ||
1.一種裝置,包括:
通道部件,
第一電極和第二電極,被配置為使能電流從所述第一電極通過所述通道部件向所述第二電極的流動,以及
支撐襯底,被配置為支撐所述通道部件、所述第一電極和第二電極,
其中,所述支撐襯底和所述電極中的一個或多個被配置以使得所述通道部件的一部分被懸掛以暴露所述部分的相對的表面,所暴露的相對的表面的每一個包括在其上被配置為促進(jìn)電流通過所述通道部件的流動的變化的相應(yīng)的功能涂層,
其中,在所暴露的相對的表面的每一個上的所述功能涂層包括不同的受體物質(zhì),所述不同的受體物質(zhì)被配置為與周圍環(huán)境中的相應(yīng)的不同的分析物物質(zhì)相互作用,所述不同的受體物質(zhì)與所述相應(yīng)的不同的分析物物質(zhì)的相互作用引起通過所述通道部件的所述電流的改變,
其中,所述裝置是分析物傳感器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述分析物物質(zhì)被充電,所述受體物質(zhì)與所述分析物物質(zhì)的相互作用將所述分析物物質(zhì)定位為足夠接近所述通道部件,從而所述分析物物質(zhì)上的電荷引起所述電流的改變。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,在所暴露的相對的表面中的一個上的功能涂層與在所暴露的相對的表面中的另一個上的功能涂層相同或不同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述支撐襯底、所述電極、所述通道部件、和所述功能涂層中的一個或多個被配置為基本上可逆地可變形。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述通道部件具有被配置為促進(jìn)所述裝置的變形的波狀結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的裝置,其中,所暴露的相對的表面的組合表區(qū)域的50%以上包括在其上的功能涂層。
7.一種形成分析物傳感器裝置的方法,
所述裝置包括:
通道部件;
第一電極和第二電極,被配置為使能電流從所述第一電極通過所述通道部件向所述第二電極的流動;
支撐襯底,被配置為支撐所述通道部件、所述第一電極和所述第二電極,
所述支撐襯底和所述電極中的一個或多個被配置以使得所述通道部件的一部分被懸掛以暴露所述部分的相對的表面,
所述方法包括:
將相應(yīng)的功能涂層沉積在懸掛部分的所暴露的相對的表面的每一個上,所述相應(yīng)的功能涂層被配置為促進(jìn)電流通過所述通道部件的流動的變化,在所暴露的相對的表面的每一個上的所述功能涂層包括不同的受體物質(zhì),所述不同的受體物質(zhì)被配置為與周圍環(huán)境中的相應(yīng)的不同的分析物物質(zhì)相互作用,所述不同的受體物質(zhì)與所述相應(yīng)的不同的分析物物質(zhì)的相互作用引起通過所述通道部件的所述電流的改變。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中,所述方法包括:
將所述通道部件、所述第一電極和所述第二電極沉積在所述支撐襯底上,其中,所述相應(yīng)的功能涂層的沉積在所述通道部件、所述第一電極和所述第二電極的沉積之前或之后執(zhí)行。
9.一種計算機(jī)可讀存儲介質(zhì),在其上存儲被配置為執(zhí)行根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的方法的計算機(jī)代碼。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的





