[發(fā)明專利]包括氣體分配系統(tǒng)的噴濺裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680008421.6
• 申請日: 2016-02-02
• 公開（公告）號: CN107208249B
• 公開（公告）日: 2019-08-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: K·哈蒂格
• 申請（專利權(quán)）人: 卡迪奈爾鍍膜玻璃公司
• 主分類號: C23C14/00
• 分類號: C23C14/00;C23C14/35;H01J37/32;H01J37/34
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 李隆濤

1.一種磁控噴濺裝置，包括：

真空室，受控的環(huán)境可以在所述真空室內(nèi)建立；

靶，其包括一種或多種可噴濺材料，其中所述靶包括沿縱向軸線縱向延伸的跑道形噴濺區(qū)域，所述跑道形噴濺區(qū)域包括被夾在第一轉(zhuǎn)向區(qū)域與第二轉(zhuǎn)向區(qū)域之間的兩個筆直區(qū)域；

氣體分配系統(tǒng)，其包括沿縱向軸線延伸的多個接口，其中所述多個接口包括多個第一接口和多個第二接口，所述第一接口沿所述第一轉(zhuǎn)向區(qū)域和所述第二轉(zhuǎn)向區(qū)域定位以使得所述第一接口定位成將第一氣體混合物供給到所述第一轉(zhuǎn)向區(qū)域和所述第二轉(zhuǎn)向區(qū)域兩者，以使得所述第一氣體混合物控制所述第一轉(zhuǎn)向區(qū)域和所述第二轉(zhuǎn)向區(qū)域兩者的局部區(qū)域處的噴濺速率，所述第二接口沿所述兩個筆直區(qū)域中的每個定位以使得所述第二接口定位成將第二氣體混合物供給到所述筆直區(qū)域兩者，以使得所述第二氣體混合物控制所述筆直區(qū)域兩者的局部區(qū)域處的噴濺速率，所述第一接口沿第一縱向距離和第三縱向距離定位，所述第二接口沿第二縱向距離定位，以使得所述第一縱向距離、所述第二縱向距離、和所述第三縱向距離不重疊；

其中所述第一氣體混合物被供給到第一接口，并且所述第二氣體混合物被供給到第二接口，所述第一氣體混合物包括具有第一原子量的單一惰性氣體或兩種或更多惰性氣體，并且所述第二氣體混合物包括具有第二原子量的單一惰性氣體或兩種或更多惰性氣體，所述第一原子量是所述第一氣體混合物中的所述單一惰性氣體的原子量或所述兩種或更多惰性氣體的平均原子量，所述第二原子量是所述第二氣體混合物中的所述單一惰性氣體的原子量或所述兩種或更多惰性氣體的平均原子量，所述第一原子量不同于所述第二原子量，所述第二原子量比所述第一原子量重，以使得所述氣體分配系統(tǒng)在所述第一轉(zhuǎn)向區(qū)域和所述第二轉(zhuǎn)向區(qū)域以及兩個筆直區(qū)域上提供比如果僅將氬氣氛圍提供給所述第一轉(zhuǎn)向區(qū)域和所述第二轉(zhuǎn)向區(qū)域以及所述兩個筆直區(qū)域相比更均勻的噴濺速率，所述第一氣體混合物和所述第二氣體混合物中的每一者不含活性氣體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控噴濺裝置，其中所述第一氣體混合物包括從由氬、氦、氖、氪和氙組成的組中選擇出的單一惰性氣體，并且所述第一原子量是所述單一惰性氣體的原子量，和/或所述第二氣體混合物包括從由氬、氖、氪、氙和氡組成的組中選擇出的單一惰性氣體，并且所述第二原子量是所述單一惰性氣體的原子量。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控噴濺裝置，其中所述第一氣體混合物包括包含從由氬、氦、氖、氪、氙和氡組成的組中選擇出的兩種或更多種惰性氣體的惰性氣體混合物，并且所述第一原子量是所述兩種或更多惰性氣體的平均原子量，和/或所述第二氣體混合物包括包含從由氬、氦、氖、氪、氙和氡組成的組中選擇出的兩種或更多種惰性氣體的惰性氣體混合物，并且所述第二原子量是所述兩種或更多惰性氣體的平均原子量。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控噴濺裝置，其中所述多個接口是包括一個或多個氣體輸送構(gòu)件的氣體輸送構(gòu)件結(jié)構(gòu)的一部分，所述一個或多個氣體輸送構(gòu)件中的每一個沿噴濺靶的一側(cè)定位。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁控噴濺裝置，其中所述氣體輸送構(gòu)件結(jié)構(gòu)包括定位在靶的第一側(cè)的第一氣體輸送構(gòu)件以及定位在靶的相反側(cè)的第二氣體輸送構(gòu)件。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控噴濺裝置，其中所述第一接口包圍所述第一轉(zhuǎn)向區(qū)域和/或所述第二轉(zhuǎn)向區(qū)域的至少一部分。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁控噴濺裝置，其中所述多個第一接口整體包圍所述第一轉(zhuǎn)向區(qū)域和/或所述第二轉(zhuǎn)向區(qū)域。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控噴濺裝置，其中所述多個接口還包括第三接口，并且第三氣體混合物被供給到所述第三接口，并且所述第三氣體混合物包括具有第三原子量的單一惰性氣體或兩種或更多惰性氣體，所述第三原子量是所述單一惰性氣體的原子量或所述兩種或更多惰性氣體的平均原子量，所述第三原子量不同于所述第一原子量和所述第二原子量中的每一者，所述第二原子量比所述第一原子量重，所述第三原子量比所述第一原子量重但是比所述第二原子量輕。