[發明專利]納米晶體磁性合金及其熱處理方法

有效

• 申請號: 201680008309.2
• 申請日: 2016-01-05
• 公開（公告）號: CN107532267B
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發明（設計）人: 太田元基;伊藤直樹
• 申請（專利權）人: 梅特格拉斯公司;日立金屬株式會社
• 主分類號: C22C45/02
• 分類號: C22C45/02;H01F1/147
• 代理公司: 深圳市百瑞專利商標事務所(普通合伙) 44240
• 代理人: 金輝

1.一種納米晶體合金帶，包含：

鐵基合金組合物，包含0.6原子百分比-低于1.2原子百分比的Cu、10原子百分比-20原子百分比的B和大于0原子百分比且高達10原子百分比的Si，其中B和Si的組合含量為10原子百分比-24原子百分比，所述鐵基合金組合物中Nb、Zr、Ta和Hf的總含量低于0.3原子百分比，以及附帶雜質，其中Fe以原子百分比的量平衡所述鐵基合金組合物的100原子百分比，

所述納米晶體合金帶以大于50℃/秒的加熱速率來進行熱處理并且具有熱處理的局部結構，所述熱處理的局部結構包括分散在所述納米晶體合金帶的非晶基質中平均粒度小于40nm的納米晶體，并占據所述納米晶體合金帶的30體積百分比以上，

基于所述熱處理的局部結構，所述納米晶體合金帶表現出，

小于6.5A/m的矯頑力H_c，和

至少為200mm的帶曲率半徑。

2.一種納米晶體合金帶，包含：

由Fe_{100-x-y-z-a-b-雜質}Cu_xB_ySi_zA_aX_b表示的合金組合物，其中0.6at.％≤x1.2at.％、10at.％≤y≤20at.％、0at.％z≤10at.％、10at.％≤(y+z)≤24at.％、0at.％≤a≤10at.％、0at.％≤b≤5at.％，其中雜質為附帶雜質以at.％計的量，其中A包含選自Ni、Mn、Co、V、Cr、Ti、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta和W的至少一種元素，X包含選自Re、Y、Zn、As、In和稀土元素的至少一種元素，at.％為原子百分比，并且所述合金組合物中Nb、Zr、Ta和Hf的總含量低于0.3原子百分比；

所述納米晶體合金帶以大于50℃/秒的加熱速率來進行熱處理并且具有熱處理的局部結構，所述熱處理的局部結構包括分散在非晶基質中平均粒度小于40nm的納米晶體，所述納米晶體占據所述帶的30體積百分比以上；以及

基于所述熱處理的局部結構，所述納米晶體合金帶表現出，

小于6.5A/m的矯頑力H_c，和

至少為200mm的帶曲率半徑。

3.根據權利要求1或2所述的納米晶體合金帶，其具有0.92-0.98的B₈₀/B_s比率，其中B₈₀為80A/m下的磁感應，B_s為飽和感應。

4.根據權利要求1或2所述的納米晶體合金帶，其在80A/m下具有超過1.6T的磁感應。

5.根據權利要求1或2所述的納米晶體合金帶，其具有超過1.7T的飽和感應B_s。

6.根據權利要求1或2所述的納米晶體合金帶，其已經被熱處理，并且在1.5T和50Hz下的磁芯損失小于0.27W/kg。

7.根據權利要求1或2所述的納米晶體合金帶，其中Fe的含量超過75原子百分比。

8.根據權利要求1或2所述的納米晶體合金帶，其中所述合金組合物由元素Fe、Cu、B和Si以及附帶的雜質構成。

9.根據權利要求2所述的納米晶體合金帶，其中“a”在0.01原子百分比-10原子百分比的范圍內。

10.根據權利要求9所述的納米晶體合金帶，其中“a”在0.01原子百分比-1.5原子百分比的范圍內。

11.根據權利要求2所述的納米晶體合金帶，其中“b”小于2.0原子百分比。

12.根據權利要求2所述的納米晶體合金帶，其中“b”小于1.0原子百分比。