[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201680008296.9 | 申請日: | 2016-06-21 |
| 公開(公告)號: | CN107318272B | 公開(公告)日: | 2019-10-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 荒木龍 | 申請(專利權(quán))人: | 富士電機(jī)株式會社 |
| 主分類號: | H02M3/337 | 分類號: | H02M3/337;H02M5/458;H02M1/42;H02M1/08;H02M7/5387;H02M7/5388;H02P27/08 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 裝置 | ||
提供一種能夠降低開關(guān)損耗的半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體裝置具有串聯(lián)連接的第一半導(dǎo)體元件(Su)~(Sw)和第二半導(dǎo)體元件(Sx)~(Sz),第一半導(dǎo)體元件是由具有比第二半導(dǎo)體元件的開關(guān)損耗小的開關(guān)損耗的低開關(guān)損耗半導(dǎo)體元件構(gòu)成的,第二半導(dǎo)體元件是由具有比第一半導(dǎo)體元件的導(dǎo)通損耗小的導(dǎo)通損耗的低導(dǎo)通損耗半導(dǎo)體元件構(gòu)成的。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種具有串聯(lián)連接的第一半導(dǎo)體元件和第二半導(dǎo)體元件的應(yīng)用于電力變換裝置等的半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)
以往,在電動馬達(dá)、吸塵器、空調(diào)、焊接機(jī)等中應(yīng)用著作為電力變換裝置的逆變器。在該逆變器和作為其周邊電路的功率因數(shù)改善電路、制動電路等中,使用了將第一半導(dǎo)體元件與第二半導(dǎo)體元件串聯(lián)連接而成的半導(dǎo)體裝置。
在將串聯(lián)連接的第一半導(dǎo)體元件和第二半導(dǎo)體元件并聯(lián)連接多列而成的逆變器中,通常,作為構(gòu)成上臂的第一半導(dǎo)體元件和構(gòu)成下臂的第二半導(dǎo)體元件,使用MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor:金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:絕緣柵雙極型晶體管)等的同一種類的開關(guān)半導(dǎo)體元件。
而且,例如在電吸塵器中使用的逆變器控制電路中,作為構(gòu)成逆變器控制電路的下臂側(cè)的開關(guān)元件,應(yīng)用了與上臂側(cè)的開關(guān)元件(例如IGBT)相比能夠進(jìn)行更高速的開關(guān)動作的開關(guān)元件(例如使用了氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、金剛石等的寬禁帶半導(dǎo)體元件)(例如,參照專利文獻(xiàn)1)。在該專利文獻(xiàn)1中,進(jìn)行如下的二相調(diào)制方式的逆變器控制:針對施加于馬達(dá)的三相電壓的各相電壓,每隔2π/3按順序使上臂的開關(guān)元件接通并使下臂的開關(guān)元件斷開,來使各相電壓周期性地固定。
專利文獻(xiàn)1:日本特開2012-249488號公報
發(fā)明內(nèi)容
另外,在專利文獻(xiàn)1所記載的以往例中,在下臂側(cè)使用開關(guān)速度比上臂側(cè)的開關(guān)元件的開關(guān)速度快的開關(guān)元件,并且進(jìn)行二相調(diào)制方式的逆變器控制,由此降低上下臂的開關(guān)元件之間的開關(guān)損耗(發(fā)熱)的偏差。
然而,僅如上述以往例那樣使下臂的開關(guān)元件的開關(guān)速度比上臂的開關(guān)元件的開關(guān)速度快是存在以下問題的:無法充分改善下臂的開關(guān)元件導(dǎo)通時的開關(guān)損耗。
因此,本發(fā)明是著眼于上述以往例的問題而完成的,其目的在于提供一種能夠降低開關(guān)元件導(dǎo)通時的開關(guān)損耗來降低上下臂的總損耗的半導(dǎo)體裝置。
為了達(dá)到上述目的,本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的一個方式具有串聯(lián)連接的第一半導(dǎo)體元件和第二半導(dǎo)體元件,第一半導(dǎo)體元件是由具有比第二半導(dǎo)體元件的開關(guān)損耗小的開關(guān)損耗的低開關(guān)損耗半導(dǎo)體元件構(gòu)成的,第二半導(dǎo)體元件是由具有比第一半導(dǎo)體元件的導(dǎo)通損耗小的導(dǎo)通損耗的低導(dǎo)通損耗半導(dǎo)體元件構(gòu)成的。
根據(jù)本發(fā)明的一個方式,能夠降低開關(guān)元件導(dǎo)通時的開關(guān)損耗來降低上下臂的總損耗。
附圖說明
圖1是表示本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的第一實施方式的電路圖。
圖2是表示三相正弦波控制波形和下側(cè)固定(lower-side-stuck)的二相調(diào)制控制波形的波形圖。
圖3是第一實施方式中的下側(cè)固定的二相調(diào)制方式的各相的信號波形圖。
圖4是表示圖2的(b)中的W相的電力供給路徑的說明圖,(a)表示通電區(qū)間T1的電力供給路徑,(b)表示區(qū)間T2的電力供給路徑。
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H02M3-22 .帶有中間變換為交流的
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