[發(fā)明專利]太陽能電池及其制造方法、太陽能電池模塊、以及布線板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201680007769.3 | 申請日: | 2016-03-10 |
| 公開(公告)號: | CN107318269B | 公開(公告)日: | 2020-02-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 小泉玄介;足立大輔;中野邦裕 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社鐘化 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/05;H01L31/02;H01L31/0216;H01L31/0747;H01L31/18 |
| 代理公司: | 11227 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 李洋;青煒 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 太陽能電池 及其 制造 方法 模塊 以及 布線 | ||
1.一種太陽能電池的制造方法,所述太陽能電池具備光電轉(zhuǎn)換部,該光電轉(zhuǎn)換部在導(dǎo)電型單晶硅基板(1)的第一主面上依次具有第一導(dǎo)電型硅系薄膜(3a)以及第一透明電極層(6a),在所述導(dǎo)電型單晶硅基板的第二主面上依次具有第二導(dǎo)電型硅系薄膜(3b)以及第二透明電極層(6b),
其中,
所述太陽能電池的制造方法具有:
在所述光電轉(zhuǎn)換部的第一主面上形成第一金屬籽晶層(71)的工序;
在所述光電轉(zhuǎn)換部的第二主面上形成第二金屬籽晶層(81)的工序;以及
在所述光電轉(zhuǎn)換部的第二主面的周緣以及所述光電轉(zhuǎn)換部的側(cè)面上形成第三金屬籽晶層(91)的工序,
所述第一金屬籽晶層、所述第二金屬籽晶層以及所述第三金屬籽晶層以所述第一金屬籽晶層與所述第三金屬籽晶層導(dǎo)通且所述第二金屬籽晶層與所述第三金屬籽晶層不導(dǎo)通的方式形成,
通過對所述第一金屬籽晶層以及所述第三金屬籽晶層中的至少一方進(jìn)行供電,來同時(shí)形成所述第一金屬籽晶層上的第一鍍覆層(72)以及所述第三金屬籽晶層上的第三鍍覆層(92)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池的制造方法,其中,
在所述光電轉(zhuǎn)換部的第二主面上設(shè)置了掩模的狀態(tài)下,從所述光電轉(zhuǎn)換部的第二主面?zhèn)刃纬山饘賹樱纱送瑫r(shí)形成所述第二金屬籽晶層以及所述第三金屬籽晶層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的太陽能電池的制造方法,其中,
通過對所述第三金屬籽晶層進(jìn)行供電,來同時(shí)形成所述第一鍍覆層以及所述第三鍍覆層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的太陽能電池的制造方法,其中,
還具有在所述第二金屬籽晶層上通過鍍覆法形成第二鍍覆層(82)的工序。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的太陽能電池的制造方法,其中,
所述光電轉(zhuǎn)換部還具有第三透明電極層(6c),
所述第三透明電極層設(shè)置在所述第二導(dǎo)電型硅系薄膜的周緣以及所述導(dǎo)電型單晶硅基板的側(cè)面上,并不與所述第二透明電極層導(dǎo)通,
所述第三金屬籽晶層形成在所述第三透明電極層上,
所述第一透明電極層以及所述第一金屬籽晶層中的至少任一方與所述第三透明電極層以相互接觸的方式形成。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





