[發明專利]正型感光性硅氧烷組合物、有源矩陣基板、顯示裝置以及有源矩陣基板的制造方法

在審

• 申請號: 201680007695.3
• 申請日: 2016-02-03
• 公開（公告）號: CN107209456A
• 公開（公告）日: 2017-09-26
• 發明（設計）人: 野寺伸武;篠塚章宏;小巖真司;加藤真裕;松本隆夫;福家崇司;橫山大志;谷口克人
• 申請（專利權）人: 堺顯示器制品株式會社;AZ電子材料(盧森堡)有限公司
• 主分類號: G03F7/023
• 分類號: G03F7/023;G02F1/1333;G02F1/1368;G03F7/075
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司72003
• 代理人: 李英艷,張永康

1.一種正型感光性硅氧烷組合物，其特征在于，含有：(I)在四甲基氫氧化銨(TMAH)水溶液中的溶解速度不同的至少兩種以上的聚硅氧烷、(II)重氮萘醌衍生物、(III)光酸產生劑以及(IV)溶劑，

所述聚硅氧烷(I)是(A)與(B)的混合物，

(A)聚硅氧烷(Ia)，將由下述通式(1)表示的硅烷化合物在堿性催化劑的存在下進行水解以及縮合而得的預烘烤后的膜可溶于5質量％TMAH水溶液，該膜的溶解速度為以下，

R¹_nSi(OR²)_4-n

式中，R¹表示任意的亞甲基被氧取代或未被氧取代的碳數為1～20的直鏈狀、支鏈狀或環狀的烷基、或者碳數為6～20且任意的氫被氟取代或未被氟取代的芳基，R²表示碳數為1～5的烷基，n表示0或1，

(B)聚硅氧烷(Ib)，將由所述通式(1)表示的硅烷化合物在堿性催化劑或酸性催化劑的存在下進行水解以及縮合而得的預烘烤后的膜在2.38質量％TMAH水溶液中的溶解速度為以上。

2.如權利要求1所述的正型感光性硅氧烷組合物，其特征在于，所述聚硅氧烷使通式(1)中的n＝0的硅烷化合物以20摩爾％以下進行反應而得。

3.如權利要求1或2所述的正型感光性硅氧烷組合物，其特征在于，

所述重氮萘醌衍生物相對于所述聚硅氧烷(I)100質量份為3質量份以上且10質量份以下，所述光酸產生劑的量相對于所述聚硅氧烷(I)100質量份為0.01質量份以上且10質量份以下。

4.一種有源矩陣基板，其特征在于，在基板上使多條源極布線與多條柵極布線以立體地交叉的方式形成，在所述源極布線與所述柵極布線交叉的部分的附近形成薄膜晶體管，形成通過該薄膜晶體管與對應的源極布線電連接的像素電極，至少在所述源極布線與所述柵極布線之間夾雜由權利要求1至3中任一項所述的正型感光性硅氧烷組合物的固化物構成的層間絕緣膜。

5.如權利要求1所述的有源矩陣基板，其特征在于，

所述層間絕緣膜具有300℃以上的耐熱性，

光透射率為90％以上，

300℃條件下的膜厚減少量為5％以下，

相對介電常數為4以下。

6.如權利要求4或5所述的有源矩陣基板，其特征在于，所述層間絕緣膜形成于所述源極布線與所述柵極布線交叉的部分。

7.如權利要求4至6中任一項所述的有源矩陣基板，其特征在于，在所述薄膜晶體管的上側，進一步具有由所述固化物構成的層間絕緣膜。

8.一種顯示裝置，其特征在于，具有：

權利要求4至7中任一項所述的有源矩陣基板、

在該有源矩陣基板上配置的顯示介質層、以及

在所述有源矩陣基板上隔著所述顯示介質層相對的相對基板。

9.一種有源矩陣基板的制造方法，其特征在于，包括：

像素電極形成工序，在基板上使多條源極布線與多條柵極布線以立體地交叉的方式形成，在所述源極布線與所述柵極布線交叉的部分的附近形成薄膜晶體管，形成通過該薄膜晶體管與對應的源極布線電連接的像素電極，以及，

層間絕緣膜形成工序，至少在所述源極布線與所述柵極布線之間形成由權利要求1至3中任一項所述的正型感光性硅氧烷組合物的固化物構成的層間絕緣膜，

所述層間絕緣膜形成工序包括：

使用所述正型感光性硅氧烷組合物形成膜的膜形成工序、

對形成的膜進行預烘烤的工序、

對經預烘烤的膜進行曝光工序、

對經曝光的膜進行顯影的工序，以及

對經顯影的膜進行燒成的工序。

10.如權利要求9所述的有源矩陣基板的制造方法，其特征在于，所述膜形成工序在所述源極布線與所述柵極布線交叉的部分形成膜。