[發明專利]R-T-B系燒結磁體的制造方法

有效

• 申請號: 201680007651.0
• 申請日: 2016-12-16
• 公開（公告）號: CN107210128B
• 公開（公告）日: 2018-09-21
• 發明（設計）人: 佐藤鐵兵;國吉太;石井倫太郎
• 申請（專利權）人: 日立金屬株式會社
• 主分類號: H01F41/02
• 分類號: H01F41/02;B22F3/00;B22F3/24;C21D6/00;C22C38/00;H01F1/057
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 蔣亭

1.一種R-T-B系燒結磁體的制造方法，其包括如下1)和2)的工序：

1)準備R-T-B系燒結磁體原材的工序，將成形體以1000℃以上且1100℃以下的溫度進行燒結后，實施下述條件a或條件b，

條件a：以10℃/分以下降溫至500℃；

條件b：進行在800℃以上且950℃以下的第一熱處理溫度保持的第一熱處理后，以10℃/分以下降溫至500℃，

所述R-T-B系燒結磁體原材含有

27.5質量％以上且34.0質量％以下的R、

0.85質量％以上且0.93質量％以下的B、

0.20質量％以上且0.70質量％以下的Ga、

0.05質量％以上且0.50質量％以下的Cu、

0.05質量％以上且0.50質量％以下的A1，

余量是T和不可避免的雜質，其中，R是稀土類元素之中的至少一種且一定含有Nd，T是Fe和Co，以質量比計，T的90％以上是Fe，

并滿足下式(1)和(2)，

[T]-72.3[B]＞0 (1)

([T]-72.3[B])/55.85＜13[Ga]/69.72 (2)

其中，[T]是以質量％表示的T的含量，[B]是以質量％表示的B的含量，[Ga]是以質量％表示的Ga的含量；

2)熱處理工序，將所述R-T-B系燒結磁體原材加熱至650℃以上且750℃以下的第二熱處理溫度而進行第二熱處理后，以5℃/分以上冷卻至400℃。

2.根據權利要求1所述的R-T-B系燒結磁體的制造方法，其中，在所述工序2)中，將所述R-T-B系燒結磁體原材以15℃/分以上從所述第二熱處理溫度冷卻至400℃。

3.根據權利要求1所述的R-T-B系燒結磁體的制造方法，其中，在所述工序2)中，將所述R-T-B系燒結磁體原材以50℃/分以上從所述第二熱處理溫度冷卻至400℃。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的R-T-B系燒結磁體的制造方法，其中，所述R-T-B系燒結磁體原材含有1.0質量％以上且10質量％以下的Dy和/或Tb。

5.根據權利要求1～3中任一項所述的R-T-B系燒結磁體的制造方法，其中，在所述工序1)的條件b中，所述燒結后，冷卻至低于所述第一熱處理溫度的溫度之后，加熱至所述第一熱處理溫度而進行所述第一熱處理。

6.根據權利要求1～3中任一項所述的R-T-B系燒結磁體的制造方法，其中，在所述工序1)的條件b中，所述燒結后，冷卻至所述第一熱處理溫度，進行所述第一熱處理。

7.根據權利要求1～3中任一項所述的R-T-B系燒結磁體的制造方法，其中，包括將所述工序2)之后的R-T-B系燒結磁體加熱至360℃以上且460℃以下的低溫熱處理溫度的低溫熱處理工序。