[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201680007637.0
• 申請日: 2016-01-08
• 公開（公告）號: CN107210291B
• 公開（公告）日: 2019-07-16
• 發明（設計）人: 梶勇輔;三村研史;原田耕三;殷曉紅;原田啟行
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L23/28;H01L25/18
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 于麗

半導體裝置(1)主要具備半導體元件基板(3)、半導體元件(13)、殼體件(15)以及密封樹脂(29)。在半導體元件基板(3)中，在基底板(5)的表面隔著絕緣基板(7)配置有導電性的第1電路基板(9)。在殼體件(15)設置有從內壁向著配置有半導體元件(13)的一側突出的電路基板臺(17)和電極端子(19)。在電路基板臺(17)直接安裝有導電性的第2電路基板(21)。電極端子(19)與第2電路基板(21)通過布線(25)電連接，第2電路基板(21)與半導體元件(13)通過布線(27)電連接。

技術領域

本發明涉及半導體裝置，特別是涉及用密封樹脂密封功率用的半導體元件的半導體裝置。

背景技術

隨著產業設備、鐵路車輛或者汽車等的高性能化，使用搭載于它們的半導體裝置的狀態的溫度(使用溫度)有上升的傾向。近年來，半導體元件的小型化、高耐壓化、高電流密度化得以發展，對于與此相伴的半導體元件的高溫工作的開發正在加速。特別是，碳化硅(SiC)或者氮化鎵(GaN)等寬帶隙半導體與硅(Si)半導體相比帶隙大，作為適合于近年來半導體元件的開發的材料而受到關注。

為了將能夠進行高溫工作的半導體元件裝置化為半導體裝置，需要即使半導體元件在150℃以上的高溫下工作時，也要抑制密封樹脂與其它部件的剝離以及絕緣基板的裂紋等，從而穩定地確保絕緣性。以往，提出了抑制這樣的剝離以及裂紋等的方法。

例如，在專利文獻1中提出了如下方法：用線膨脹率低的高耐熱密封樹脂來密封芯片的周邊，用抗氧化劣化性優良的密封材料覆蓋半導體裝置的表面，從而提高芯片的周邊以及模塊的可靠性。另外，在專利文獻2中提出了如下方法：與搭載有半導體元件的第1絕緣基板獨立地，在構成半導體裝置的殼體部件的部分搭載通過焊接固定有電阻元件的第2絕緣基板，從而抑制焊料由于從半導體元件產生的熱而產生裂紋等。此外，還存在專利文獻3。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2014－146774號公報

專利文獻2：日本特開2007－329387號公報

專利文獻3：日本特開平11－74433號公報

發明內容

發明所要解決的技術問題

如上所述，用密封樹脂密封功率用的半導體元件的半導體裝置要求即使在高溫下工作的狀態也穩定地確保絕緣性。

本發明是作為這樣的開發的一環而完成的，其目的在于提供在較高溫下也能夠穩定地確保絕緣性的半導體裝置。

解決技術問題的技術方案

本發明的半導體裝置具備半導體元件基板、半導體元件、殼體件、電路基板臺、導電性的第2電路基板、電極端子、布線以及密封材料。半導體元件基板包括基底板、配置于基底板的表面的絕緣基板以及配置于絕緣基板的表面的導電性的第1電路基板。半導體元件安裝于半導體元件基板的第1電路基板。殼體件以包圍半導體元件的方式裝配于半導體元件基板。電路基板臺設置于殼體件，以向著半導體元件位于的內側突出的形態配置于與絕緣基板不同的高度位置。導電性的第2電路基板直接配置于電路基板臺的表面。電極端子裝配于殼體件。布線經由第2電路基板將半導體元件與電極端子電連接。密封材料被填充到由殼體件包圍的區域，密封半導體元件、電路基板臺以及布線。

發明效果

根據本發明的半導體裝置，導電性的第2電路基板被直接配置于在與絕緣基板不同的高度位置配置的電路基板臺。由此，當在高溫下工作的狀態下，即使在密封材料與第2電路基板的界面產生剝離，該剝離也不會到達配置有第1電路基板的絕緣基板，絕緣基板不會產生裂紋。其結果是，能夠穩定地確保半導體裝置的絕緣性。

附圖說明

圖1是本發明的實施方式1的半導體裝置的俯視圖。