[發明專利]并入包含碳的金屬線的結構及形成包含碳的金屬線的方法

有效

• 申請號: 201680007436.0
• 申請日: 2016-01-07
• 公開（公告）號: CN107210362B
• 公開（公告）日: 2019-10-22
• 發明（設計）人: 安德烈亞·戈蒂;丹尼爾·F·吉利;因諾琴佐·托爾托雷利;恩里科·瓦雷西
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00;H01L27/22;H01L27/24
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 路勇

1.一種存儲器裝置，其包括：

下導電線，其在第一方向上延伸；

上導電線，其在第二方向上延伸且與所述下導電線交叉，其中所述上及下導電線中的至少一者包括交替層堆疊，所述交替層堆疊包括至少一個金屬線及包含鎢及碳的至少一個合金線；及

存儲器單元堆疊，其插置于所述上與下導電線之間的相交點處，所述存儲器單元堆疊包含：

在所述下導電線上方的第一有源元件及在所述第一有源元件上方的第二有源元件，其中所述第一及第二有源元件中的一者包括存儲元件且所述第一及第二有源元件的另一者包括選擇器元件，及

電極，其插置于所述上及下導電線中的所述至少一者與所述第一及第二有源元件的較接近者之間。

2.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述存儲器裝置是相變存儲器裝置，且其中所述第一有源元件是包括第一硫族化物組合物的存儲元件，且所述第二有源元件是包括第二硫族化物組合物的選擇器元件。

3.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述上及下導電線中的所述至少一者是至少部分非晶的。

4.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述上及下導電線中的所述至少一者包括在0.5原子百分比與20原子百分比之間的碳。

5.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述上及下導電線中的所述至少一者具有表面粗糙度，所述表面粗糙度具有小于上及下導電線中的所述至少一者的厚度的2.5％的均方根值。

6.根據權利要求5所述的存儲器裝置，其中所述上及下導電線中的所述至少一者的所述厚度小于或等于100nm，且其中所述上及下導電線中的所述至少一者的寬度小于或等于50nm。

7.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述至少一個合金線是至少部分非晶的。

8.一種存儲器裝置，其包括：

下導電線，其在第一方向上延伸；

上導電線，其在第二方向上延伸且與所述下導電線交叉，其中所述上導電線及所述下導電線中的至少一者包括交替層堆疊，所述交替層堆疊包括至少一個金屬線及至少一個導電含碳線；及

相變存儲器單元，其形成于所述上與下導電線之間的相交點處，所述相變存儲器單元包含包括硫族化物材料的有源元件，其中所述至少一個導電含碳線具有低于非晶碳的電阻率的線延伸的方向上的電阻率。

9.根據權利要求8所述的存儲器裝置，其中所述至少一個導電含碳線包括石墨烯。

10.根據權利要求9所述的存儲器裝置，其中所述至少一個導電含碳線包括少于20個石墨烯單層。

11.根據權利要求9所述的存儲器裝置，其中所述至少一個導電含碳線具有在1nm與10nm之間的厚度，且其中所述上及下導電線中的所述至少一者的寬度小于或等于50nm。

12.根據權利要求8所述的存儲器裝置，其中所述至少一個金屬導電線包括鎢。

13.根據權利要求8所述的存儲器裝置，其中所述至少一個含碳線的厚度在0.5nm與3nm之間，且其中所述上及下導電線中的所述至少一者的寬度小于或等于50nm。

14.根據權利要求8所述的存儲器裝置，其中上及下導電線中的所述至少一者的縱橫比小于1。

15.根據權利要求8所述的存儲器裝置，其中所述相變存儲器單元包括接觸所述上及下導電線中的所述至少一者的電極。