[發(fā)明專利]二氧化硅熔體的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201680007345.7 | 申請(qǐng)日: | 2016-01-27 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107207305B | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-03-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | G·德莫特;B·馬羅爾特;D·迪卡姆 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 克瑙夫絕緣私人有限公司 |
| 主分類號(hào): | C03B3/00 | 分類號(hào): | C03B3/00;C03B5/235;C03B5/44 |
| 代理公司: | 中國(guó)貿(mào)促會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038 | 代理人: | 李躍龍 |
| 地址: | 比利*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 二氧化硅 制備 方法 | ||
1.一種用于制備二氧化硅熔體的方法,該二氧化硅熔體包含至少35重量%的二氧化硅,優(yōu)選至少40重量%的二氧化硅,更優(yōu)選至少45重量%的二氧化硅或至少50重量%的二氧化硅,其中將細(xì)二氧化硅粉末進(jìn)料到浸沒(méi)式燃燒熔爐中的起泡熔體水平的下方,該浸沒(méi)式燃燒熔爐包括設(shè)置在該熔爐底部的至少一個(gè)浸沒(méi)式燃燒器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中細(xì)二氧化硅粉末是飛灰和/或稻殼灰。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法,其中控制所述至少一個(gè)浸沒(méi)式燃燒器,以將所述熔體保持在湍流狀態(tài)中,使得湍流熔體的體積為比如果沒(méi)有燃燒器燒制時(shí)熔體將具有的水平高至少8%,優(yōu)選至少10%,更優(yōu)選至少15%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)的方法,其中對(duì)其進(jìn)行操作使得在熔體水平的頂部上方不產(chǎn)生顯著的泡沫層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)的方法,其中還將助熔劑引入熔體中,優(yōu)選與細(xì)二氧化硅粉末組合。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的方法,其中助熔劑選自氧化鈉、氧化鉀、氧化鋰、氧化鉛、氧化鋅、氧化鈣、氧化鋇、氧化鎂、氧化鍶和氧化硼、及其組合。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的方法,其中以組合物的0.5-25重量%,優(yōu)選0.5-20重量%,或1.0-15重量%的量加入助熔劑。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法,包括將額外的可玻璃化原料進(jìn)料到所述熔爐中。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其中在所述熔爐中的熔體水平上方進(jìn)料所述額外的可玻璃化原料。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的方法,其中在所述起泡熔體水平下方,有利地在熔體水平下方進(jìn)料所述可玻璃化原料。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法,其中將所述熔體的至少一部分從所述熔爐中取出并在冷卻時(shí)使其玻璃化以產(chǎn)生玻璃化的產(chǎn)物。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的方法,其中進(jìn)一步合適地處理玻璃化的產(chǎn)物以用于混凝土組合物、結(jié)構(gòu)元件的制備、用于道路結(jié)構(gòu)、或用作玻璃制造工藝更具體是玻璃熔化工藝中的玻璃化的原料。
13.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法,其中將所述熔化室壁進(jìn)行冷卻,例如其包括通過(guò)循環(huán)冷卻液體優(yōu)選水所分離的雙重鋼壁,優(yōu)選地將從所述冷卻液體回收的能量進(jìn)行再循環(huán),并且內(nèi)熔爐壁不是耐火材料襯里的。
14.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法,其中從所述熱煙氣和/或所述冷卻液體回收熱。
15.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法,其中從所述熔爐連續(xù)地或間歇地取出所述熔體的至少一部分。
16.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法,其中進(jìn)行浸沒(méi)式燃燒,使得在所述熔體中產(chǎn)生基本環(huán)形的熔體流型,其具有基本豎直的旋轉(zhuǎn)的中心軸,在所述熔體表面處包括主要集中向內(nèi)會(huì)聚的流動(dòng);該熔體在豎直的旋轉(zhuǎn)的中心軸附近向下移動(dòng),并且以上升的運(yùn)動(dòng)再循環(huán)回熔體表面,從而限定基本環(huán)形的流型。
17.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法,其中所述熔化步驟包括在浸沒(méi)式燃燒熔爐中通過(guò)使熔體呈流型將細(xì)二氧化硅粉末材料熔化,當(dāng)通過(guò)計(jì)算機(jī)流體動(dòng)力學(xué)分析進(jìn)行模擬時(shí),該流型顯示出在熔體中的基本環(huán)形的熔體流型,包括在熔體表面處主要集中向內(nèi)會(huì)聚的流動(dòng)矢量,且環(huán)形旋轉(zhuǎn)的中心軸是基本豎直的。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法,其中朝向熔爐底部,流動(dòng)矢量改變方向,顯示出向外然后向上的分量。
19.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法,其中浸沒(méi)式燃燒燃燒器設(shè)置在所述熔爐底部,在基本環(huán)形的燃燒器區(qū)域中,優(yōu)選地在燃燒器圓上。
20.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法,其中以相鄰燃燒器之間約250-1250mm,有利地為500-900mm,優(yōu)選約600-800,甚至更優(yōu)選約650-750mm的距離設(shè)置所述燃燒器。
21.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法,其中在所述浸沒(méi)式燃燒器上方或附近向上移動(dòng)的熔體的速度矢量和/或每個(gè)燃燒器軸從豎直方向稍微傾斜,例如傾斜≥1°,≥2°,≥3°或≥5°和/或≤30°,優(yōu)選≤15°,更優(yōu)選≤10°的角度,特別是朝向熔爐的中心。
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