[發明專利]半導體元件及其制造方法

有效

• 申請號: 201680007338.7
• 申請日: 2016-01-06
• 公開（公告）號: CN107210105B
• 公開（公告）日: 2019-09-03
• 發明（設計）人: 深町浩平
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H01C7/02
• 分類號: H01C7/02;C04B35/468
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 馮雅;張佳鑫

1.一種半導體元件，它是包含陶瓷坯體、第一外部電極和第二外部電極的半導體元件，

所述陶瓷坯體含有陶瓷燒結體粒子；

所述第一外部電極配置在所述陶瓷坯體的第一端面；

所述第二外部電極配置在所述陶瓷坯體的第二端面；

其特征在于，

所述陶瓷燒結體粒子是至少含有Ba和Ti的鈣鈦礦型化合物；

所述陶瓷燒結體粒子的平均粒徑為0.4μm以上且1.0μm以下；

所述陶瓷燒結體粒子的接觸率在45％以上，所述接觸率根據以掃描型電子顯微鏡對所述半導體元件的一截面中所選擇的一區域進行觀察所算出的存在于所述一區域內的所述陶瓷燒結體粒子的周長合計L_G、存在于所述一區域內的孔的周長合計L_NC、所述一區域的外周長L_S、以及以下式表示的存在于所述一區域內的所述陶瓷燒結體粒子的接觸長度L_C的值，

(數1)

通過下式算出,

(數2)

2.如權利要求1所述的半導體元件，其特征在于，所述陶瓷燒結體粒子的接觸率在45％以上且80％以下。

3.如權利要求1或2所述的半導體元件，其特征在于，所述半導體元件是在所述陶瓷坯體的內部配置有一個以上的第一內部電極和一個以上的第二內部電極的積層型半導體元件；

所述第一內部電極在所述陶瓷坯體的所述第一端面與所述第一外部電極電連接；

所述第二內部電極在所述陶瓷坯體的所述第二端面與所述第二外部電極電連接。

4.如權利要求3所述的半導體元件，其特征在于，所述第一內部電極和所述第二內部電極是Ni電極。