[發明專利]線鋸切割設備

有效

• 申請號: 201680007171.4
• 申請日: 2016-01-07
• 公開（公告）號: CN107206628B
• 公開（公告）日: 2019-11-01
• 發明（設計）人: 全志原;安相珉
• 申請（專利權）人: 愛思開矽得榮株式會社
• 主分類號: B28D5/04
• 分類號: B28D5/04;B28D5/00
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 劉佳

本發明揭示了一種線鋸切割設備，所述線鋸切割設備包括：鋸絲，所述鋸絲構造為切割錠塊；錠塊傳送器單元，所述錠塊傳送器單元構造為傳送所述錠塊到所述鋸絲處；噴嘴，所述噴嘴構造為供應漿液到所述鋸絲處；和分散漿液阻擋單元，所述分散漿液阻擋單元設置在由所述鋸絲鋸切的錠塊的上方和旁邊并且構造為吸收至少部分的從由所述鋸絲切割的所述錠塊的側表面分散的漿液，其中所述分散漿液阻擋單元包括吸收所述分散的漿液的網狀結構。本發明的線鋸切割設備可通過使因分散的漿液的再引入所引起的錠塊的過度冷卻最小化來減少晶片的翹曲。

技術領域

實施例涉及一種線鋸切割設備。

背景技術

為了從單晶硅錠獲取晶片，存在利用鋸絲來鋸切錠塊的線鋸切割設備。現有的線鋸切割設備通過在供應漿液到鋸絲的同時高速移動鋸絲來鋸切錠塊，由此獲取晶片所期望的形狀。

然而，從錠塊與鋸絲在錠塊開始被鋸切的初始階段相互接觸的區域分散的漿液自由下落，而從錠塊與鋸絲在初始階段后的中間階段相互接觸的區域分散的漿液不自由下落，但具有對錠塊的鋸切有害的影響，由此引起高翹曲。翹曲是對于半導體晶片的切割重要的質量之一，并且必須被進一步減少以滿足提高的對半導體質量的要求。

技術目的

實施例提供了一種減少翹曲的線鋸切割設備。

技術方案

根據實施例的線鋸切割設備可包括構造為切割錠塊的鋸絲、構造為傳送錠塊到鋸絲處的錠塊傳送器單元、構造為供應漿液到鋸絲處的噴嘴和分散漿液阻擋單元，該分散漿液阻擋單元設置在由鋸絲鋸切的錠塊的上方并且構造為吸收至少部分的從被鋸絲切割的錠塊的側表面的分散的漿液。

分散漿液阻擋單元可具有吸收分散的漿液的網狀結構。

分散漿液阻擋單元可包括附連到支承錠塊傳送器單元的支承表面的上部部分、包括構造為吸收分散的漿液的至少一個網板的下部部分和位于上部部分與下部部分之間的側向部分。

上部部分和側向部分可螺釘連接在一起，而下部部分和側向部分可成一體。

分散漿液阻擋單元可包括由上部部分、側向部分和下部部分限定的并且構造為在其中貯存分散的漿液的漿液容納空間，而分散漿液阻擋單元的下部部分可用插設在它們之間的開口與錠塊隔開，該開口構造為允許引入分散的漿液到漿液容納空間中。

下部部分的底部與錠塊的頂部之間的距離范圍可從1cm到2cm。

分散漿液阻擋單元還可包括構造為沿垂直于鋸絲移動方向的方向排出貯存在漿液容納空間中的漿液的出口端口。

至少一個網板可包括一個堆疊在另一個上的多個網板，并且隨著到鋸絲距離的增加，各網板中的孔的尺寸可減小。

分散漿液阻擋單元可以是能附連的或能脫開的。分散漿液阻擋單元的上部部分可固定到支承表面，并且分散漿液阻擋單元的側向部分或下部部分中的至少一個的形狀可被作成能附連到上部或能從上部脫開。

分散漿液阻擋單元的下部部分可沿向內的方向朝向錠塊傾斜。下部部分可具有范圍從7°到10°的傾斜角。

分散漿液阻擋單元的底部可位于比鋸絲高的位置。

分散漿液阻擋單元可設置在鋸絲進入的側和鋸絲退出的側處。

分散漿液阻擋單元可設置為沿錠塊的縱向平行于錠塊。

錠塊傳送器單元可包括構造為使錠塊朝鋸絲降低的進料盤、構造為固定錠塊到進料盤的保持件以及構造為將保持件和錠塊相互連接的梁元件。