[發(fā)明專利]混合式集中光伏裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201680007059.0 | 申請日: | 2016-01-26 |
| 公開(公告)號: | CN107251236A | 公開(公告)日: | 2017-10-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | R·法斯考;L·安德烈尼;安吉洛·波佐拉;達維德·科莫雷特托;瓦倫蒂娜·羅比亞諾;米歇爾·勞斯;卡蒂婭·斯帕納奇 | 申請(專利權(quán))人: | 艾尼股份公司 |
| 主分類號: | H01L31/054 | 分類號: | H01L31/054;H01L31/055 |
| 代理公司: | 北京安信方達知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11262 | 代理人: | 張瑞,鄭霞 |
| 地址: | 意大*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 混合式 集中 裝置 | ||
1.一種混合式集中光伏裝置,包括:
(i)至少一個發(fā)光太陽能集中器(LSC),其具有多邊形板、圓形板或橢圓形板的形狀,所述發(fā)光太陽能集中器(LSC)包含至少一種具有吸收光譜范圍和發(fā)射光譜范圍的光致發(fā)光化合物;
(ii)至少一個微米或亞微米介電光子結(jié)構(gòu),其光學地聯(lián)接到所述發(fā)光太陽能集中器(LSC),所述微米或亞微米介電光子結(jié)構(gòu)能夠在所述發(fā)光太陽能集中器(LSC)中在其中沒有所述光致發(fā)光化合物的吸收的光譜范圍內(nèi)誘導陽光的漫射和/或衍射、優(yōu)選地誘導衍射;
(iii)至少一個光伏電池,其定位在所述發(fā)光太陽能集中器(LSC)的至少一側(cè)的外側(cè)上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合式集中光伏裝置,其中,所述發(fā)光太陽能集中器(“發(fā)光太陽能集中器”-LSC)包括透明材料的基質(zhì),所述透明材料的基質(zhì)選自透明聚合物,例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸異丁酯、聚甲基丙烯酸乙酯、聚碳酸烯丙基二甘醇酯、聚甲基丙烯酰亞胺、聚碳酸酯醚、苯乙烯丙烯腈、聚苯乙烯、甲基丙烯酸甲酯苯乙烯共聚物、聚醚砜、聚砜、三乙酸纖維素或其混合物;透明玻璃,例如二氧化硅、石英、氧化鋁、二氧化鈦或其混合物,優(yōu)選地聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的混合式集中光伏裝置,其中,所述光致發(fā)光化合物選自具有吸收范圍和發(fā)射區(qū)間的光致發(fā)光化合物,所述吸收范圍在從290nm至700nm的范圍內(nèi)、優(yōu)選地在從300nm至650nm的范圍內(nèi),所述發(fā)射區(qū)間在從390nm至900nm的范圍內(nèi)、優(yōu)選地在從400nm至850nm的范圍內(nèi)。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的混合式集中光伏裝置,其中,所述光致發(fā)光化合物選自苯并噻二唑光致發(fā)光化合物,例如4,7-二(噻吩-2'-基)-2,1,3-苯并噻二唑(DTB)或其混合物;并苯化合物,例如9,10-二苯基蒽(DPA)或其混合物;苝化合物,例如BASF的或其混合物;或其混合物;優(yōu)選地選自4,7-二-2-噻吩基-2,1,3-苯并噻二唑(DTB)、9,10-二苯基蒽(DPA)或其混合物,甚至更優(yōu)選地是4,7-二-(噻吩-2-基)-2,1,3-苯并噻二唑(DTB)。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的混合式集中光伏裝置,其中,所述光致發(fā)光化合物以在從每單位面積0.1g至每單位面積2g的范圍內(nèi)、優(yōu)選地在從每單位面積0.2g至每單位面積1.5g的范圍內(nèi)的量存在于所述發(fā)光太陽能集中器(“發(fā)光太陽能集中器”-LSC)中,所述單位面積是指以m2表示的所述透明材料的基質(zhì)的表面。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的混合式集中光伏裝置,其中,所述微米或亞微米介電結(jié)構(gòu)包括球形形狀的材料,所述球形形狀的材料組織在有序的和/或部分有序的一維或二維介電晶格中,優(yōu)選地組織在三角形2D晶格中或全息1D晶格中。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的混合式集中光伏裝置,其中,所述球形形狀的材料包括球體,所述球體具有在從300nm至800nm范圍內(nèi)、優(yōu)選地在從400nm至700nm范圍內(nèi)的直徑。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的混合式集中光伏裝置,其中,所述微米或亞微米介電光子結(jié)構(gòu)包括一層或更多層、優(yōu)選地從1層至10層,更優(yōu)選地從1層至5層的球形膠體,優(yōu)選地聚苯乙烯(PS)的球形膠體,所述球形膠體沉積在剛性支撐體的上表面上,優(yōu)選地沉積在對陽光透明的薄玻璃的上表面上,所述玻璃優(yōu)選地具有在從85μm到400μm范圍內(nèi)、更優(yōu)選地在從100μm到200μm范圍內(nèi)的厚度。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的混合式集中光伏裝置,其中,所述微米或亞微米介電光子結(jié)構(gòu)部分地或完全地、優(yōu)選地完全地覆蓋所述發(fā)光太陽能集中器(LSC)的上表面和/或下表面、優(yōu)選地所述上表面上。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的混合式集中光伏裝置,其中,所述微米或亞微米介電光子結(jié)構(gòu)通過合適的光學凝膠聯(lián)接到所述發(fā)光太陽能集中器(LSC)的所述上表面和/或所述下表面。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項所述的混合式集中光伏裝置,其中,所述微米或亞微米介電光子結(jié)構(gòu)被應用在薄的柔性襯底(例如聚苯乙烯襯底)的上表面上,并且隨后通過合適的光學凝膠聯(lián)接到所述發(fā)光太陽能集中器(LSC)的所述上表面和/或所述下表面。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





