[發(fā)明專利]用于空間上分離的原子層沉積腔室的改進的注射器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201680007014.3 | 申請日: | 2016-01-20 |
| 公開(公告)號: | CN107208266A | 公開(公告)日: | 2017-09-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | J·約德伏斯基;K·格里芬;A·米勒;J·托賓;E·紐曼;T·E·佐藤;P·M·劉 | 申請(專利權(quán))人: | 應(yīng)用材料公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;C23C16/458 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司31100 | 代理人: | 侯穎媖 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 空間 分離 原子 沉積 改進 注射器 | ||
1.一種氣體遞送系統(tǒng),包含:
第一入口管線,所述第一入口管線與第一接合點流體連通;
至少兩個第一腿部,所述至少兩個第一腿部連接至所述第一接合點且與所述第一接合點流體連通,所述至少兩個第一腿部中的每一個與至少一個閥流體連通;
第二入口管線,所述第二入口管線與每一個閥流體連通;以及
出口腿部,所述出口腿部與每一個閥流體連通,并且終止在出口端中,
其中每一個閥控制從所述第一腿部至所述出口腿部的流體的流,并且從所述第一接合點至所述出口端中的每一個出口端的距離基本上相同。
2.如權(quán)利要求1所述的氣體遞送系統(tǒng),其中有四個第一腿部,所述四個第一腿部連接至所述第一接合點且與所述第一接合點流體連通,所述四個第一腿部中的每一個與至少一個閥流體連通。
3.如權(quán)利要求1所述的氣體遞送系統(tǒng),其中所述第一腿部中的每一個獨立地與第二接合點流體連通,所述第二接合點位于所述第一接合點下游,并且至少兩個第二腿部從所述第二接合點中的每一個延伸,從而引導(dǎo)至所述閥。
4.如權(quán)利要求1所述的氣體遞送系統(tǒng),進一步包含:
第三入口管線,所述第三入口管線與第三接合點流體連通;
至少兩個第三腿部,所述至少兩個第三腿部連接至所述第三接合點且與所述第三接合點流體連通,所述至少兩個第三腿部中的每一個與至少一個第三閥流體連通;
第四入口管線,所述第四入口管線與每一個第三閥流體連通;以及
出口腿部,所述出口腿部與每一個第三閥流體連通,并且終止在出口端中,
其中每一個第三閥控制從所述第三腿部至所述出口腿部的流體的流,并且從所述第三接合點至所述出口端中的每一個出口端的距離基本上相同。
5.如權(quán)利要求4所述的氣體遞送系統(tǒng),其中有四個第三腿部,所述四個第三腿部連接至所述第三接合點且與所述第三接合點流體連通,所述四個第三腿部中的每一個與至少一個第三閥流體連通。
6.如權(quán)利要求5所述的氣體遞送系統(tǒng),其中所述第三腿部中的每一個獨立地與第四接合點流體連通,所述第四接合點位于所述第三接合點下游,并且至少兩個第四腿部從所述第四接合點中的每一個第四接合點延伸,從而引導(dǎo)至所述閥。
7.一種氣體遞送系統(tǒng),包含:
第一入口管線,所述第一入口管線與第一接合點流體連通;
兩個第一腿部,所述兩個第一腿部連接至所述第一接合點且與所述第一接合點流體連通,所述至少兩個第一腿部中的每一個與第二接合點流體連通;
兩個第二腿部,所述兩個第二腿部與所述第二接合點中的每一個第二接合點和閥流體連通;
第二入口管線,所述第二入口管線與所述閥中的每一個流體連通;以及
出口腿部,所述出口腿部與所述閥中的每一個流體連通且具有出口端,
其中每一個閥控制從所述第一腿部至所述出口腿部的流體的流,并且從所述第一接合點通過所述第二接合點至所述出口端中的每一個出口端的距離基本上相同。
8.如權(quán)利要求1至7中的任一項所述的氣體遞送系統(tǒng),其中所述閥控制在所述第二入口管線中至所述出口腿部的流體的流。
9.如權(quán)利要求1至7中的任一項所述的氣體遞送系統(tǒng),其中所述閥不控制在所述第二入口管線中至所述出口腿部的流體的流。
10.如權(quán)利要求1至7中的任一項所述的氣體遞送系統(tǒng),其中所述出口端中的每一個包含配件。
11.如權(quán)利要求1至7中的任一項所述的氣體遞送系統(tǒng),其中所述第二入口管線在所述閥上游具有至少一個截止閥。
12.如權(quán)利要求1至7中的任一項所述的氣體遞送系統(tǒng),其中所述閥是氣動閥。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





