[發明專利]金屬結合基底

在審

• 申請號: 201680007007.3
• 申請日: 2016-01-06
• 公開（公告）號: CN107206737A
• 公開（公告）日: 2017-09-26
• 發明（設計）人: 金保京;金賢斌;李星勛
• 申請（專利權）人: 康寧精密素材株式會社
• 主分類號: B32B7/04
• 分類號: B32B7/04;B32B9/00;B32B9/04;B32B15/20;B32B17/06;B32B33/00
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司11286
• 代理人: 劉燦強,尹淑梅

技術領域

本公開總體涉及一種金屬結合基底。更具體地講，本公開涉及一種顯著改善非導電基體基底和與其結合的金屬層之間的結合力的金屬結合基底。

背景技術

玻璃由于具有高水平的透光率、優異的熱穩定性和優異的機械性能而被用于各種應用中，諸如用于一系列功能容器、車輛和結構材料中，并且被用于諸如智能電話和顯示裝置的各種電子裝置中。在現代工業中，技術密集型領域對適用于特定應用的材料有更大的需求。因此，需要具有上述性能的玻璃的工業領域正在增加。具體地，在諸如觸摸屏、顯示裝置的電子/電氣裝置和半導體基底材料中，形成精細電路圖案的器件之間的電連接是必要的。當在制造這樣的電子/電氣裝置中使用玻璃材料時，在玻璃材料上沉積諸如銅(Cu)的金屬以形成電路是必要的。

通常，當將玻璃應用于顯示器制造工藝時，使用濺射設備在玻璃板上形成用于增加粘合強度的種子層(seed layer)，隨后在種子層上沉積Cu。然而，當使用諸如濺射設備的真空沉積設備時，因為這樣的設備可能會相對昂貴，設備的操作成本可能會高，設備可能會具有大的體積，并且整個工藝可能會消耗相對大量的時間，所以可能會出現許多問題。具體地，現有技術的設備被設計為主要以二維(2D)方式(即，在單一方向上)沉積Cu。因此，為了以三維(3D)方式在所有方向上均勻地沉積Cu，必須對設備進行結構上地修改。然而，這會不期望地產生額外的費用并使設備的體積增大。

無電鍍鍍Cu(electroless Cu plating)是通過Cu²⁺離子的化學還原使Cu沉淀而使介質鍍有Cu的工藝。因為無電鍍鍍Cu的整個工藝是以溶液為基礎執行的，可以電鍍所有樣品，并且能夠批量生產，所以無電鍍鍍Cu用于各種工業領域。然而，由于玻璃基材料與Cu的粘合性差，所以需要能夠增強它們之間的粘合強度的方法或技術。

現有技術文獻

專利文獻1：第10-0846318號韓國專利(2008年7月9日)

發明內容

技術問題

本公開的各個方面提供了一種顯著改善非導電基體基底和與其結合的金屬層之間的結合力的金屬結合基底。

技術方案

根據一個方面，金屬結合基底包括：基體基底；金屬層，設置在基體基底上；自組裝單層(SAM)，設置在基體基底與金屬層之間，SAM由將金屬層化學連接到基體基底的硅烷形成。硅烷的端基包含包括具有至少一個雜原子的飽和或不飽和的6元環的氨基硅烷。

硅烷可以是從以下化合物組成的候選組中選擇的一種或者兩種或更多種的組合：3-氨基丙基-三甲氧基硅烷(APTMS)、3-巰基丙基-三甲氧基硅烷(MPTMS)、三嗪硫醇硅烷(TESPA)、三甲氧基硅烷基丙基二亞乙基三胺(AEAPTMS)和二苯基膦基乙基三乙氧基硅烷(DPPETES)。

氨基硅烷可以是從以下化合物組成的候選組中選擇的一種或者兩種或更多種的組合：三嗪硫醇(NH(CH₂)₃Si(OMe)₃)、噻嗪硫醇((CH2)₂Si(OMe)₃)、三惡烷硫醇(NH(CH₂)2Si(OMe)₃)、吡喃硫醇(NH(CH₂)2Si(OMe)₃)、噻喃硫醇(NH(CH₂)2Si(OMe)₃)、三磷硫醇(NH(CH₂)3Si(OMe)₃)、斯塔納苯(NH(CH₂)2Si(OMe)₃)、六嗪(NH(CH₂)3Si(OMe)₃)、吡啶(NH(CH₂)2Si(OMe)₃)、四嗪(NH(CH₂)3Si(OMe)₃)和縱2三嗪硫醇(NH(CH₂)3Si(OMe)₃)。

基體基底可以實現為玻璃基底。

金屬層可以由銅形成。

技術效果