[發明專利]用于鐵電存儲器中的數據感測的參考電壓的設置

有效

• 申請號: 201680006960.6
• 申請日: 2016-02-16
• 公開（公告）號: CN107210062B
• 公開（公告）日: 2020-11-10
• 發明（設計）人: C·Z·周;K·A·瑞麥克;J·A·羅德里格斯
• 申請（專利權）人: 德州儀器公司
• 主分類號: G11C11/22
• 分類號: G11C11/22
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 林斯凱

1.一種設置包含一晶體管一電容器1T-1C類型的鐵電存儲器單元的集成電路中的參考電壓的方法，其包括：

將多個所述鐵電存儲器單元編程到第一數據狀態，所述第一數據狀態對應于比第二數據狀態更低的電容極化狀態；

在多個參考電壓電平下迭代地讀取所述多個經編程鐵電存儲器單元以識別對應于在讀取時最弱存儲器單元返回所述第二數據狀態時的所述參考電壓電平的第一參考電壓限制；其中迭代地讀取包含：

在所有所述鐵電存儲器單元返回所述第一數據狀態時的初始參考電壓下讀取所述多個鐵電存儲器單元，所述初始參考電壓電平為所述多個參考電壓電平的第一電壓電平；

接著通過將所述初始參考電壓遞增地降低而在所述多個參考電壓電平的剩余每一者下讀取所述多個鐵電存儲器單元直到所述第一參考電壓限制被識別；及

針對所述多個鐵電存儲器單元中的每一者在所述多個參考電壓電平中的每一者下：

對所述鐵電存儲器單元進行存取；及

響應于所述存取而比較所述鐵電存儲器單元產生的電壓與所述參考電壓電平以確定所述鐵電存儲器單元是否返回所述第一數據狀態或所述第二數據狀態；及

在基于所述第一參考電壓限制的操作電平下配置所述集成電路以設置所述參考電壓。

2.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括：

在所述迭代讀取之前，在用于讀取所述第一數據狀態的最差情況條件下設置電氣參數。

3.根據權利要求2所述的方法，其中在所述最差情況條件下設置所述電氣參數包含：在對應于高電力供應器電壓規格限制的電平下設置電力供應器電壓。

4.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括：

在所述迭代讀取之前，在用于讀取所述第一數據狀態的最差情況條件下設置所述集成電路的環境參數。

5.根據權利要求4所述的方法，其中在所述最差情況條件下設置所述環境參數包含：將所述集成電路加熱到對應于高溫規格限制的溫度。

6.根據權利要求1所述的方法，其中存取包含將所述鐵電存儲器單元中的鐵電電容器的第一板耦合到與所述鐵電存儲器單元相關聯的位線；

其中響應于所述存取而將所述鐵電存儲器單元產生的所述電壓提供于所述位線上；其中所述第一數據狀態對應于所述鐵電電容器到第一極化狀態的極化，其中所述電容器在缺乏所施加的電壓的情況下保留第一極性的電壓；以及

其中存取進一步包含：

將電壓脈沖施加到所述鐵電電容器的第二板；及

在所述電壓脈沖之后執行比較所述位線處的所述電壓與所述參考電壓電平。

7.根據權利要求1所述的方法，其中配置所述集成電路以設置所述參考電壓包含：使用對應于所述操作電平的值寫入配置寄存器的內容。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述操作電平等于所述第一參考電壓限制加公差。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述集成電路是單個集成電路晶片中形成的多個集成電路中的一者；其中使用呈晶片形式的所述集成電路執行所述編程、迭代讀取及配置步驟。

10.根據權利要求1所述的方法，其中所述集成電路是封裝式集成電路。

11.根據權利要求6所述的方法，其中將所述鐵電存儲器單元中的所述鐵電電容器的所述第一板耦合到與所述鐵電存儲器單元相關聯的所述位線包含供應電壓到與所述鐵電存儲器單元相關聯的字線以激活耦合于所述位線與所述鐵電電容器的所述第一板之間的晶體管。

12.根據權利要求1所述的方法，其中使用感測放大器以比較通過所述鐵電存儲器單元產生的所述電壓與所述參考電壓電平。