[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的制造方法及底部填充膜

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201680006768.7
• 申請(qǐng)日: 2016-02-05
• 公開（公告）號(hào): CN107112254B
• 公開（公告）日: 2019-10-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 久保田健二;齋藤崇之
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 迪睿合株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/56
• 分類號(hào): H01L21/56;H01L21/60;H01L23/29;C09J7/25;C09J7/40;C09J133/04;C09J163/08
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 何欣亭;鄭冀之

提供在成批壓接多個(gè)半導(dǎo)體芯片的情況下，也能得到無空隙安裝及良好的焊接性的半導(dǎo)體裝置的制造方法及底部填充膜。具有：搭載工序，隔著底部填充膜而將形成有帶焊錫電極的多個(gè)半導(dǎo)體芯片搭載到形成有與帶焊錫電極對(duì)置的對(duì)置電極的電子部件；以及壓接工序，將多個(gè)半導(dǎo)體芯片和電子部件，隔著底部填充膜成批壓接。底部填充膜含有環(huán)氧樹脂、酸酐、丙烯樹脂、和有機(jī)過氧化物，最低熔化粘度為1000Pa·s以上且2000Pa·s以下，從比到達(dá)最低熔化粘度溫度高10℃的溫度到比該溫度高10℃的溫度的熔化粘度梯度，為900Pa·s/℃以上且3100Pa·s/℃以下。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及向基板或晶圓搭載半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體裝置的制造方法、及用于該方法的底部填充膜（Underfill Film）。本申請(qǐng)以在日本于2015年2月6日申請(qǐng)的日本專利申請(qǐng)?zhí)柼卦?015－022672為基礎(chǔ)主張優(yōu)先權(quán)，該申請(qǐng)通過參照而被引入本申請(qǐng)。

背景技術(shù)

現(xiàn)有的一般的液狀的底部填充材料中，難以進(jìn)行薄膜化的半導(dǎo)體芯片的安裝或3D安裝等。因此，研究在將半導(dǎo)體IC（Integrated Circuit）電極與基板電極金屬接合或壓接接合之前將底部填充膜粘貼到基板上的“先供給型底部填充膜（PUF：Pre－appliedUnderfill Film）”的使用。

使用該先供給型底部填充膜的搭載方法，例如，如以下那樣進(jìn)行（例如，參照專利文獻(xiàn)1。）。

工序A：向晶圓粘貼底部填充膜，并切片而得到半導(dǎo)體芯片。

工序B：在基板上進(jìn)行半導(dǎo)體芯片的對(duì)位。

工序C：通過高溫/高壓來壓接半導(dǎo)體芯片和基板，進(jìn)行通過焊錫凸點(diǎn)的金屬結(jié)合進(jìn)行的導(dǎo)通確保，和通過底部填充膜的固化進(jìn)行的半導(dǎo)體芯片與基板的粘接。

作為利用這樣的安裝方法提高每個(gè)芯片的生產(chǎn)節(jié)拍（tact）的方法，能舉出多頭（multi head）、成批壓接等。然而，多頭的裝置價(jià)格高昂，會(huì)增加每個(gè)芯片的成本。另外，成批壓接中，難以進(jìn)行利用接合器（bonder）（熱工具：heat tool）的溫度控制，因此，根據(jù)芯片的位置在升溫速度上會(huì)出現(xiàn)差異，有時(shí)會(huì)發(fā)生凸點(diǎn)間的樹脂咬入等的接合不良或空隙（void）。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2005－28734號(hào)公報(bào)。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的課題

本發(fā)明鑒于這樣的現(xiàn)有實(shí)情而提出，提供在成批壓接多個(gè)半導(dǎo)體芯片的情況下，也能得到無空隙安裝及良好的焊接性的半導(dǎo)體裝置的制造方法及底部填充膜。

用于解決課題的方案

本發(fā)明人專心研究的結(jié)果，發(fā)現(xiàn)了通過使用在既定的最低熔化粘度及比到達(dá)最低熔化粘度溫度高的溫度具有既定的熔化粘度梯度的底部填充膜，在成批壓接多個(gè)半導(dǎo)體芯片的情況下，也能得到無空隙安裝及良好的焊接性。

即，本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于具有：搭載工序，隔著底部填充膜而將形成有帶焊錫電極的多個(gè)半導(dǎo)體芯片搭載到形成有與所述帶焊錫電極對(duì)置的對(duì)置電極的電子部件；以及壓接工序，將所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片和所述電子部件，隔著所述底部填充膜成批壓接，所述底部填充膜含有環(huán)氧樹脂、酸酐、丙烯樹脂、和有機(jī)過氧化物，最低熔化粘度為1000Pa·s以上且2000Pa·s以下，從比到達(dá)最低熔化粘度溫度高10℃的溫度到比該溫度高10℃的溫度的熔化粘度梯度，為900Pa·s/℃以上且3100Pa·s/℃以下。