[發明專利]填充方法及填充裝置

在審

• 申請號: 201680006561.X
• 申請日: 2016-01-27
• 公開（公告）號: CN107210221A
• 公開（公告）日: 2017-09-26
• 發明（設計）人: 松元俊二
• 申請（專利權）人: 住友精密工業株式會社
• 主分類號: H01L21/3205
• 分類號: H01L21/3205;H01L21/683;H01L21/768;H01L23/14;H01L23/522
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司11127
• 代理人: 黃綸偉,韓香花

1.一種填充方法，將填充材料填充至設置于晶片的微細空間，該填充方法具備：

減壓工序，對載置有所述晶片的處理室內進行減壓；

接觸工序，在經減壓的所述處理室內，使所述填充材料與所述晶片的表面接觸；

填充工序，通過對所述填充材料的與所述晶片相反側的面的整面進行加壓，而將所述填充材料差壓填充至所述晶片的所述微細空間；以及

煅燒工序，遍及所述晶片的整體而煅燒所述填充材料。

2.根據權利要求1所述的填充方法，其中，

所述減壓工序包含將所述處理室內減壓成100Pa以上且2000Pa以下的工序。

3.根據權利要求1所述的填充方法，其中，

所述填充材料包含在高于常溫且250℃以下的處理溫度下交聯的熱固性樹脂。

4.根據權利要求1所述的填充方法，其中，

所述煅燒工序包含：從常溫階段性地升溫至所述處理溫度，并在各個階段中控制處理時間，從而煅燒所述填充材料的工序。

5.根據權利要求1所述的填充方法，其中，

所述接觸工序包含：在所述晶片的厚度方向，以使從所述晶片的所述微細空間的形成面至所述填充材料的與所述晶片相反側的面為止的所述填充材料的厚度成為所述微細空間的深度以上的方式，將所述填充材料配置在所述晶片的工序。

6.根據權利要求1所述的填充方法，其中，

所述填充材料為絕緣性材料。

7.根據權利要求1所述的填充方法，其中，

所述填充材料為導電性材料。

8.根據權利要求1所述的填充方法，其中，

所述接觸工序包含：一邊使所述晶片旋轉，一邊使所述填充材料從所述晶片的所述微細空間的形成面側滴下，由此使所述填充材料與所述晶片的表面接觸的工序。

9.根據權利要求1所述的填充方法，其中，

所述接觸工序包含：將所述填充材料供給至所述晶片的表面的工序；以及一邊使所述晶片旋轉，一邊通過膜厚調整用部件，以大致一定的厚度將所述填充材料涂覆于所述晶片的所述微細空間的形成面側的整面，由此使所述填充材料與所述晶片的表面接觸的工序。

10.根據權利要求1所述的填充方法，其中，

所述接觸工序包含：將所述填充材料供給至所述晶片的表面的工序；一邊使所述晶片低速旋轉，一邊通過涂覆用的部件將所述填充材料涂覆于所述晶片的所述微細空間的形成面側的整面，從而使所述填充材料與所述晶片的表面接觸的工序；以及使所述晶片高速旋轉，而控制所述填充材料在所述晶片的表面的膜厚的工序。

11.根據權利要求1所述的填充方法，其中，

所述接觸工序包含：在所述晶片的所述微細空間的開口朝下的狀態下，通過將所述晶片浸漬在所述填充材料，從而使所述填充材料與所述晶片的表面接觸的工序。

12.根據權利要求1所述的填充方法，其中，

在將所述微細空間形成于所述晶片的所述微細空間的形成面上時的掩模殘留的狀態下，進行所述填充工序及所述煅燒工序，

且在所述煅燒工序后還具備剝離所述掩模的剝離工序。

13.一種填充裝置，具備：

處理室，可以對內部進行減壓；

填充材料配置部，在經減壓的所述處理室內，使填充材料與設置有微細空間的晶片的表面接觸；以及

煅燒部，遍及所述晶片的整體而煅燒所述填充材料；

在所述處理室中，構成為：通過對經接觸的所述填充材料的與所述晶片相反側的面的整面進行加壓，而使所述填充材料差壓填充至所述晶片的所述微細空間。