[發明專利]化學機械研磨用處理組合物、化學機械研磨方法及清洗方法在審
| 申請號: | 201680006490.3 | 申請日: | 2016-03-24 |
| 公開(公告)號: | CN107210214A | 公開(公告)日: | 2017-09-26 |
| 發明(設計)人: | 羽山孝弘;三星蘭;亀井康孝;西口直希;三元清孝;加茂理;飯田雅史 | 申請(專利權)人: | JSR株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司11205 | 代理人: | 楊文娟,臧建明 |
| 地址: | 日本東京港*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 化學 機械 研磨 用處 組合 方法 清洗 | ||
1.一種化學機械研磨用處理組合物,其含有:
(A)水溶性胺;
(B)具有含芳香族烴基的重復單元的水溶性聚合物;及
水系介質。
2.根據權利要求1所述的化學機械研磨用處理組合物,其進而含有(C)具有芳香族烴基的有機酸。
3.根據權利要求1或2所述的化學機械研磨用處理組合物,其pH為9以上。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的化學機械研磨用處理組合物,其中所述(A)成分是選自由烷醇胺、羥基胺、嗎啉、嗎啉衍生物、哌嗪及哌嗪衍生物所組成的群組中的至少一種氨基酸。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的化學機械研磨用處理組合物,其中所述(B)成分為具有源自烷基取代或非取代的苯乙烯的結構單元的聚合物。
6.根據權利要求2至5中任一項所述的化學機械研磨用處理組合物,其中所述(C)成分為選自由苯基琥珀酸、苯基丙氨酸、苯甲酸、苯基乳酸及萘磺酸所組成的群組中的至少一種。
7.根據權利要求1至6中任一項所述的化學機械研磨用處理組合物,其中所述化學機械研磨用處理組合物是用于處理配線基板的被處理面,且
所述配線基板在所述被處理面上包括包含銅或鎢的配線材料、以及包含選自由鉭、鈦、鈷、釕、錳及這些的化合物所組成的群組中的至少一種的障蔽金屬材料。
8.根據權利要求7所述的化學機械研磨用處理組合物,其中所述被處理面包含所述配線材料和所述障蔽金屬材料接觸的部分。
9.根據權利要求7或8所述的化學機械研磨用處理組合物,其中所述化學機械研磨用處理組合物是用以清洗所述被處理面的清洗用組合物。
10.根據權利要求1至8中任一項所述的化學機械研磨用組合物,其進而含有(D)研磨粒。
11.根據權利要求10所述的化學機械研磨用處理組合物,其中所述化學機械研磨用處理組合物是用以研磨所述被處理面的化學機械研磨用組合物。
12.一種化學機械研磨方法,其是使用根據權利要求11所述的化學機械研磨用處理組合物研磨所述被處理面。
13.一種清洗方法,其是使用根據權利要求9所述的化學機械研磨用處理組合物清洗所述被處理面。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





