[發(fā)明專利]聲表面波裝置集合體

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680006223.6
• 申請日: 2016-02-01
• 公開（公告）號: CN107210726B
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發(fā)明（設計）人: 竹下徹;甲斐誠二;中崇;津田基嗣;比良光善
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H03H9/25
• 分類號: H03H9/25;H03H3/08;H03H9/145
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 趙琳琳

1.一種聲表面波裝置集合體，其中，具備：

集合基板，由壓電體構成；

多個第1電路部，被設置于所述集合基板上，分別具有IDT電極、和連接于所述IDT電極的第1高壓端子以及第1接地端子；

第2電路部，被設置于所述集合基板上，具有功能電極、和連接于所述功能電極的第2高壓端子以及第2接地端子；和

供電布線，被設置于所述集合基板上，以使得包圍多個所述第1電路部以及所述第2電路部的周圍，

各所述第1電路部分別構成作為帶通型濾波器的聲表面波裝置，所述第2電路部構成帶通型濾波器，

多個所述第1接地端子以及多個所述第1高壓端子連接于所述供電布線，所述第2接地端子連接于所述供電布線，所述第2高壓端子未連接于所述供電布線，

各所述聲表面波裝置的通頻帶與由所述第2電路部構成的帶通型濾波器的通頻帶相同。

2.一種聲表面波裝置集合體，其中，具備：

集合基板，由壓電體構成；

多個第1電路部，被設置于所述集合基板上，分別具有IDT電極、和連接于所述IDT電極的第1高壓端子以及第1接地端子；

第2電路部，被設置于所述集合基板上，具有功能電極、和連接于所述功能電極的第2高壓端子以及第2接地端子；和

供電布線，被設置于所述集合基板上，以使得包圍多個所述第1電路部以及所述第2電路部的周圍，

各所述第1電路部分別構成聲表面波裝置，

多個所述第1接地端子以及多個所述第1高壓端子連接于所述供電布線，所述第2接地端子連接于所述供電布線，所述第2高壓端子未連接于所述供電布線，

多個所述第1電路部的電氣電路構成與所述第2電路部的電氣電路構成相同。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的聲表面波裝置集合體，其中，

還具備：

多個第1支承部件，被設置于所述集合基板上，分別具有各所述第1電路部所面對的第1開口部；

第2支承部件，被設置于所述集合基板上，具有所述第2電路部所面對的第2開口部；和

蓋部件，被設置于多個所述第1支承部件上以及所述第2支承部件上，以使得將多個所述第1開口部以及所述第2開口部密封，

多個所述第1支承部件被設置為俯視下與多個所述第1高壓端子以及多個所述第1接地端子重疊，所述第2支承部件被設置為與所述第2高壓端子以及所述第2接地端子重疊，

多個第1貫通孔以及多個第2貫通孔被設置為貫通所述第1支承部件以及所述蓋部件，并且使多個所述第1高壓端子以及多個所述第1接地端子露出，第3貫通孔以及第4貫通孔被設置為貫通所述第2支承部件以及所述蓋部件，并且所述第2高壓端子以及所述第2接地端子露出。

4.根據(jù)權利要求3所述的聲表面波裝置集合體，其中，

還具備：

第1下凸塊金屬層，分別被設置于多個所述第1貫通孔；

第2下凸塊金屬層，分別被設置于多個所述第2貫通孔；和

第4下凸塊金屬層，被設置于所述第4貫通孔。

5.根據(jù)權利要求4所述的聲表面波裝置集合體，其中，

在所述第3貫通孔未設置下凸塊金屬層。

6.根據(jù)權利要求4所述的聲表面波裝置集合體，其中，

還具備：

第3下凸塊金屬層，被設置于所述第3貫通孔，

各所述第1下凸塊金屬層的厚度比所述第3下凸塊金屬層的厚度大。

7.根據(jù)權利要求6所述的聲表面波裝置集合體，其中，

還具備：

多個第1凸塊，被設置于各所述第1下凸塊金屬層上；

多個第2凸塊，被設置于各所述第2下凸塊金屬層上；

第3凸塊，被設置于俯視下與所述第3貫通孔重疊的位置；和

第4凸塊，被設置于所述第4下凸塊金屬層上，

俯視下，內接于各所述第1凸塊的內接圓的直徑比內接于所述第3凸塊的內接圓的直徑大。