[發明專利]陶瓷基板有效
| 申請號: | 201680005732.7 | 申請日: | 2016-01-08 |
| 公開(公告)號: | CN107113969B | 公開(公告)日: | 2019-06-25 |
| 發明(設計)人: | 加藤達哉;伊東正憲;沓名正樹 | 申請(專利權)人: | 日本特殊陶業株式會社 |
| 主分類號: | H05K1/03 | 分類號: | H05K1/03;H05K1/09;H05K3/46 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陶瓷 | ||
陶瓷基板具備主要由玻璃陶瓷形成的陶瓷層;和,主要由銀(Ag)形成的導體圖案,在與導體圖案相鄰的相鄰區域中,陶瓷層中所含的硼原子(B)的濃度越接近導體圖案越高。
技術領域
本發明涉及一種陶瓷基板。
背景技術
已知陶瓷基板中具備主要由玻璃陶瓷形成的陶瓷層、和主要含有銀(Ag)的導體圖案。這樣的陶瓷基板如下形成:在作為陶瓷層焙燒前的形態的生片上涂布作為導體圖案焙燒前的形態的導體糊劑,然后進行焙燒,從而形成。這樣的陶瓷基板也被稱為低溫共燒陶瓷(LTCC:Low Temperature Co-fired Ceramics)基板。
通過焙燒形成陶瓷基板時,由于導體糊劑的銀成分向陶瓷層擴散,因此有時在陶瓷層中產生孔隙、變形、變色等。認為,銀成分向陶瓷層的擴散被導體圖案中所含的銀成分的氧化促進。
專利文獻1中公開了如下技術:將導體糊劑中所含的銀粉末的表面用銻鹽覆蓋,從而抑制銀成分向陶瓷層的擴散。專利文獻2中公開了如下技術:在導體糊劑中添加硅粉末,從而抑制銀成分向陶瓷層的擴散。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開平6-252524號公報
專利文獻2:日本特開2007-234537號公報
發明內容
專利文獻1、2的技術中,有時無法充分抑制銀成分向陶瓷層的擴散。
本發明是為了解決上述課題而作出的,可以以以下的方案而實現。
(1)本發明的一個方案提供一種陶瓷基板,其具備:主要由玻璃陶瓷形成的陶瓷層;和,主要由銀(Ag)形成的導體圖案。該陶瓷基板中,在與前述導體圖案相鄰的相鄰區域中,前述陶瓷層中所含的硼原子(B)的濃度越接近前述導體圖案越高。根據該方案,可以抑制源自銀成分的擴散而在陶瓷層中產生孔隙、變形、變色等。其結果,可以提高陶瓷基板的品質。
(2)上述方案的陶瓷基板中,相鄰區域可以具有如下區域:其含有與位于陶瓷層中厚度方向的中央的中央區域相比成為3倍以上的濃度的硼原子(B)。根據該方案,可以充分抑制源自銀成分的擴散而在陶瓷層中產生孔隙、變形、變色等。
(3)上述方案的陶瓷基板中,前述導體圖案中可以存在有鑭原子(La)和鈦原子(Ti)中的至少一者。根據該方案,可以抑制源自銀成分的擴散而在陶瓷層中產生孔隙、變形、變色等。
(4)上述方案的陶瓷基板中,前述陶瓷層可以包含硼硅酸鹽玻璃和氧化鋁(Al2O3)。根據該方案,可以提高硼硅酸鹽玻璃系陶瓷基板的品質。
本發明不限定于陶瓷基板可以以各種方案實現,例如可以以制造陶瓷基板的制造方法、具備陶瓷基板的裝置、制造陶瓷基板的制造裝置等方案實現。
附圖說明
圖1為示意性示出陶瓷基板的截面的說明圖。
圖2為示出陶瓷基板的制造方法的工序圖。
圖3為示出評價試驗的結果的表。
具體實施方式
A.實施方式
圖1為示意性示出陶瓷基板110的截面的說明圖。陶瓷基板110為低溫共燒陶瓷(LTCC)基板。陶瓷基板110上形成有實現規定功能的電路的至少一部分。本實施方式中,陶瓷基板110上形成有以電子部件等傳導信號的電路。
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