[發(fā)明專利]已填充氟化烴化合物的氣體填充容器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201680005467.2 | 申請(qǐng)日： | 2016-01-15 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN107110431B | 公開（公告）日： | 2019-05-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 小日向悠子 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 日本瑞翁株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | F17C13/00 | 分類號(hào)： | F17C13/00;B24B31/02;F17C1/10 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 邵秋雨;趙曦 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 填充 氟化 化合物 氣體 容器 | ||
本發(fā)明涉及一種已填充氟化烴化合物的氣體填充容器，其特征在于，其是在氣體填充容器的內(nèi)部填充氟化烴化合物而成的已填充氟化烴化合物的氣體填充容器，上述氣體填充容器的材質(zhì)為錳鋼，通過XPS分析法而測(cè)定的上述氣體填充容器的內(nèi)表面的鋁附著量為1摩爾％以下，并且上述氟化烴化合物是用化學(xué)式：C4H9F或C5H11F表示的化合物。根據(jù)本發(fā)明，可提供一種在氣體填充容器的內(nèi)部填充用化學(xué)式：C4H9F或C5H11F表示的氟化烴化合物而成的、填充的氟化烴化合物的純度不易降低的已填充氟化烴化合物的氣體填充容器。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及在氣體填充容器的內(nèi)部填充用化學(xué)式：C4H9F或C5H11F表示的氟化烴化合物而成的已填充氟化烴化合物的氣體填充容器。
背景技術(shù)
一直以來，在制造半導(dǎo)體裝置等時(shí)的蝕刻處理中，為了選擇性蝕刻被蝕刻材料，使用氟化烴化合物作為蝕刻氣體。
為了穩(wěn)定地進(jìn)行微細(xì)的加工，對(duì)蝕刻處理所使用的氟化烴化合物要求高純度(例如，純度為99.90體積％以上)。此外，大多情況下，氟化烴化合物被填充在氣體填充容器中，在該狀態(tài)下保管直至使用。
因此，蝕刻處理所使用的氟化烴化合物不僅需要在填充到氣體填充容器時(shí)的純度高，還需要在氣體填充容器中可長(zhǎng)時(shí)間維持其高純度。
通常，使用錳鋼制、鉻鉬鋼制的容器作為氣體填充容器。此外，當(dāng)在氣體填充容器的內(nèi)表面有微細(xì)的凹凸時(shí)，容易在其內(nèi)表面吸附引起填充的氣體的污染的水、雜質(zhì)氣體、金屬粒子等。因此，通常對(duì)填充高純度的氣體的氣體填充容器的內(nèi)表面實(shí)施拋光處理直到成為鏡面狀。
作為氣體填充容器的內(nèi)表面的拋光方法，已知有例如以下方法。
(i)在專利文獻(xiàn)1中記載了金屬制中空容器的內(nèi)表面拋光處理方法。該方法具有以下工序：在金屬制中空容器的內(nèi)部加入拋光介質(zhì)和水后，使該金屬制中空容器繞其軸心旋轉(zhuǎn)，由此對(duì)金屬制中空容器的內(nèi)表面進(jìn)行拋光。此外，在該文獻(xiàn)中，作為拋光介質(zhì)，記載了氧化鋁、碳化硅、氧化鋯等陶瓷材料。
(ii)在專利文獻(xiàn)2中記載了高壓氣體填充容器的內(nèi)表面處理方法。該方法具有以下工序：在用包含防銹劑的拋光材料對(duì)高壓氣體填充容器的內(nèi)部進(jìn)行濕式拋光后，使用酸性清洗溶液(通過加水分解而呈弱酸性的這樣的鹽的水溶液)來進(jìn)行清洗。此外，在該文獻(xiàn)中還記載了如下內(nèi)容：(a)關(guān)于高壓氣體容器的內(nèi)表面，由于隨著其內(nèi)表面粗糙度變小而變得容易氧化，所以為了解決該問題而使用包含防銹劑的拋光材料；(b)當(dāng)使用包含防銹劑的拋光劑時(shí)，拋光碎屑等粉塵吸附于防銹覆膜，難以通過水洗處理除去該粉塵；(c)通過進(jìn)行專利文獻(xiàn)2所記載的處理，水分、氧變得不易吸附于高壓氣體填充容器的內(nèi)壁表面，填充的硅烷氣體變得不易分解。
(iii)在專利文獻(xiàn)3中記載了一種鹵素系氣體填充用氣體填充容器，其是實(shí)施了使用研磨材料的內(nèi)表面處理的氣體填充容器，容器內(nèi)表面的狀態(tài)根據(jù)基于X射線光電子能譜法的測(cè)定而被確定。此外，在該文獻(xiàn)中還記載了以下情況：成為鹵素系氣體的純度降低的原因的雜質(zhì)為鹵化硅；鹵化硅是由于容器內(nèi)表面的殘留Si成分與填充氣體的反應(yīng)而生成的。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1：日本特開2011-104666號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)2：日本特開平09-026093號(hào)公報(bào)(US5803795)
專利文獻(xiàn)3：日本特開2004-270917號(hào)公報(bào)(US2004/0026417A1)
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題
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