[發(fā)明專利]半導(dǎo)體用支承玻璃基板及使用其的層疊基板在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201680005282.1 | 申請日： | 2016-02-29 |
| 公開（公告）號： | CN107108344A | 公開（公告）日： | 2017-08-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 柳瀨智基 | 申請（專利權(quán)）人： | 日本電氣硝子株式會社 |
| 主分類號： | C03C19/00 | 分類號： | C03C19/00;H01L23/12;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司11021 | 代理人： | 張玉玲 |
| 地址： | 日本國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 支承 玻璃 使用 層疊 | ||
1.一種半導(dǎo)體用支承玻璃基板，其特征在于，具有成為層疊半導(dǎo)體基板的一側(cè)的第一表面和與第一表面相反側(cè)的表面即第二表面，并在第一表面及第二表面中的至少一面上具有表面粗糙度Ra為0.3nm以上且表面粗糙度Rmax為100nm以下的粗糙面化區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體用支承玻璃基板，其特征在于，粗糙面化區(qū)域形成于第二表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體用支承玻璃基板，其特征在于，粗糙面化區(qū)域形成于以面積比計為第二表面的5％以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的半導(dǎo)體用支承玻璃基板，其特征在于，粗糙面化區(qū)域形成于第一表面和第二表面這兩個面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項所述的半導(dǎo)體用支承玻璃基板，其特征在于，在粗糙面化區(qū)域內(nèi)存在圓弧狀的研磨痕。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項所述的半導(dǎo)體用支承玻璃基板，其特征在于，整體板厚偏差為3.0μm以下。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項所述的半導(dǎo)體用支承玻璃基板，其特征在于，板厚不足2.0mm且翹曲量為60μm以下。
8.一種層疊基板，其特征在于，是至少具備半導(dǎo)體基板和用于支承半導(dǎo)體基板的半導(dǎo)體用支承玻璃基板的層疊基板，半導(dǎo)體用支承玻璃基板為權(quán)利要求1～7中任一項所述的半導(dǎo)體用支承玻璃基板。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的層疊基板，其特征在于，半導(dǎo)體用支承玻璃基板在20℃～260℃時的平均熱膨脹系數(shù)為50×10－7/℃以上，且半導(dǎo)體基板至少具備被密封材密封而成的半導(dǎo)體芯片。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的層疊基板，其特征在于，半導(dǎo)體用支承玻璃基板為無堿玻璃，且半導(dǎo)體基板具有硅晶片。
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