[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201680004883.0 | 申請日： | 2016-06-15 |
| 公開（公告）號： | CN107112370B | 公開（公告）日： | 2020-08-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 阿形泰典;高橋英紀;御田村直樹;島村亞希;尾崎大輔 | 申請（專利權(quán)）人： | 富士電機株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/861 | 分類號： | H01L29/861;H01L21/322;H01L21/336;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備：
第一導(dǎo)電型的漂移區(qū)，其具有通過電子射線的照射而產(chǎn)生的晶體缺陷；
第一導(dǎo)電型的第一主電極區(qū)，其配置于所述漂移區(qū)的一部分，該第一主電極區(qū)的雜質(zhì)濃度比所述漂移區(qū)的雜質(zhì)濃度高；以及
第二導(dǎo)電型的第二主電極區(qū)，其以與所述第一主電極區(qū)相離的方式配置于所述漂移區(qū)的另一部分，
其中，所述晶體缺陷包括由空位和氧構(gòu)成的第一復(fù)合缺陷以及由碳和氧構(gòu)成的第二復(fù)合缺陷，所述晶體缺陷的缺陷密度被設(shè)定為：在深能級瞬態(tài)譜法的測定中鑒定的所述第一復(fù)合缺陷的能級的信號峰強度為所述第二復(fù)合缺陷的能級的信號峰強度的5倍以上，
其中，在所述深能級瞬態(tài)譜法的測定中鑒定的所述第二復(fù)合缺陷的能級的信號峰強度相對于位于所述第二復(fù)合缺陷的能級的信號峰與由兩個空位構(gòu)成或者由兩個空位和氧構(gòu)成的第三復(fù)合缺陷的能級的信號峰之間的谷的峰強度的比被設(shè)定為1.0～1.5的范圍，且所述第三復(fù)合缺陷的能級的信號峰強度相對于所述谷的峰強度的比被設(shè)定為2.0～2.5的范圍。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
還具備控制電極構(gòu)造，該控制電極構(gòu)造用于對在所述漂移區(qū)行進的載流子的移動進行控制。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述控制電極構(gòu)造具備：
第二導(dǎo)電型的基區(qū)，其至少設(shè)置于所述第一主電極區(qū)與所述漂移區(qū)之間；以及
柵極電極，其以靜電方式對該基區(qū)中的電位進行控制，來控制所述載流子的移動。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述第一主電極區(qū)配置于所述漂移區(qū)的上表面，
所述第二主電極區(qū)配置于所述漂移區(qū)的背面。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述控制電極構(gòu)造還具備柵極絕緣膜，該柵極絕緣膜設(shè)置于貫通所述基區(qū)后到達所述漂移區(qū)的上部的凹部的內(nèi)表面，該柵極絕緣膜被夾在所述基區(qū)與所述柵極電極之間，
所述控制電極構(gòu)造通過所述柵極電極并經(jīng)由所述柵極絕緣膜以靜電方式對所述基區(qū)的電位進行控制。
6.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備：
第一導(dǎo)電型的漂移區(qū)，其具有通過電子射線的照射而產(chǎn)生的晶體缺陷；
第一導(dǎo)電型的第一主電極區(qū)，其配置于所述漂移區(qū)的一部分，該第一主電極區(qū)的雜質(zhì)濃度比所述漂移區(qū)的雜質(zhì)濃度高；以及
第二導(dǎo)電型的第二主電極區(qū)，其以與所述第一主電極區(qū)相離的方式配置于所述漂移區(qū)的另一部分，
其中，所述晶體缺陷包括由空位和氧構(gòu)成的第一復(fù)合缺陷以及由碳和氧構(gòu)成的第二復(fù)合缺陷，所述晶體缺陷的缺陷密度被設(shè)定為：在深能級瞬態(tài)譜法的測定中鑒定的所述第一復(fù)合缺陷的能級的信號峰強度為所述第二復(fù)合缺陷的能級的信號峰強度的5倍以上，
其中，在所述深能級瞬態(tài)譜法的測定中鑒定的所述第二復(fù)合缺陷的能級的信號峰強度相對于位于所述第二復(fù)合缺陷的能級的信號峰與由兩個空位構(gòu)成或者由兩個空位和氧構(gòu)成的第三復(fù)合缺陷的能級的信號峰之間的谷的峰強度的比被設(shè)定為1.6～2.0的范圍，且所述第三復(fù)合缺陷的能級的信號峰強度相對于所述谷的峰強度的比被設(shè)定為2.6～3.0的范圍。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
