[發(fā)明專利]拋光布整理方法以及拋光方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201680004879.4 | 申請(qǐng)日: | 2016-01-05 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107148666B | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-08-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 佐佐木拓也;田中佑宜 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 信越半導(dǎo)體株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/02 | 分類號(hào): | H01L21/02;H01L21/304;H01L21/67;G01N23/223;B24B37/00;B24B37/24 |
| 代理公司: | 北京京萬(wàn)通知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11440 | 代理人: | 許天易 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 拋光 整理 方法 以及 | ||
1.一種拋光布的整理方法,該拋光布用于拋光硅晶圓,該整理方法包含:將由聚胺酯樹(shù)脂所制的拋光布貼附于拋光機(jī)而進(jìn)行修整后,進(jìn)行假拋光;
接著,對(duì)于借由該假拋光而蓄積于該拋光布中的拋光殘?jiān)M(jìn)行去除處理;
接著,測(cè)定該拋光布中的拋光殘?jiān)浚一谠撍鶞y(cè)定的拋光殘?jiān)慷卸ń?jīng)該假拋光后的拋光布的整理狀態(tài);
其中,預(yù)先地使用經(jīng)單獨(dú)進(jìn)行另外地修整后的聚胺酯樹(shù)脂制的基準(zhǔn)用拋光布而進(jìn)行硅晶圓的拋光,且通過(guò)與該假拋光后的去除處理相同方式進(jìn)行拋光殘?jiān)娜コ幚恚⑦M(jìn)行該去除處理后的拋光殘?jiān)康臏y(cè)定;
先求出基準(zhǔn)用拋光布的使用時(shí)間除以預(yù)先設(shè)定好的基準(zhǔn)用拋光布的壽命的值在0.05的時(shí)間點(diǎn)時(shí)基準(zhǔn)用拋光布中的拋光殘?jiān)坑枰宰鳛榛鶞?zhǔn)值,以在該假拋光及去除處理后所測(cè)定出的拋光殘?jiān)繛樵谠摶鶞?zhǔn)值以上時(shí),則判定經(jīng)進(jìn)行該假拋光的拋光布為經(jīng)整理。
2.如權(quán)利要求1所述的拋光布整理方法,其中
自通過(guò)熒光X射線分析法所得到的熒光X射線頻譜所檢測(cè)出包含Si-Kα射線的訊號(hào),而測(cè)定該拋光殘?jiān)俊?/p>
3.如權(quán)利要求1或2所述的拋光布整理方法,其中
通過(guò)修整以及高壓噴射水洗凈來(lái)進(jìn)行該拋光殘?jiān)娜コ幚怼?/p>
4.如權(quán)利要求1或2所述的拋光布整理方法,其中
該拋光機(jī)設(shè)為雙面拋光機(jī)。
5.如權(quán)利要求3所述的拋光布整理方法,其中
該拋光機(jī)系設(shè)為雙面拋光機(jī)。
6.一種拋光方法,使用拋光布拋光硅晶圓,該拋光方法包含:
將由聚胺酯樹(shù)脂所制的拋光布貼附于拋光機(jī)而進(jìn)行修整后,進(jìn)行假拋光;
接著,對(duì)于借由該假拋光而蓄積于該拋光布中的拋光殘?jiān)M(jìn)行去除處理;
接著,測(cè)定該拋光布中的拋光殘?jiān)浚一谠撍鶞y(cè)定的拋光殘?jiān)慷x出使用于該硅晶圓的拋光中的拋光布,并使用該選出的拋光布進(jìn)行該硅晶圓的拋光;
其中,預(yù)先地使用經(jīng)單獨(dú)進(jìn)行另外地修整后的聚胺酯樹(shù)脂制的基準(zhǔn)用拋光布而進(jìn)行硅晶圓的拋光,且通過(guò)與該假拋光后的去除處理相同的方式進(jìn)行拋光殘?jiān)娜コ幚恚⑦M(jìn)行該去除處理后的拋光殘?jiān)康臏y(cè)定;
先求出基準(zhǔn)用拋光布的使用時(shí)間除以預(yù)先設(shè)定好的基準(zhǔn)用拋光布的壽命的值在0.05的時(shí)間點(diǎn)時(shí)的基準(zhǔn)用拋光布中的拋光殘?jiān)坑枰宰鳛榛鶞?zhǔn)值,以選出在該假拋光以及去除處理后所測(cè)定出的拋光殘?jiān)繛樵谠摶鶞?zhǔn)值以上的拋光布作為于該硅晶圓的拋光中使用的拋光布。
7.如權(quán)利要求6所述的拋光方法,其中
自通過(guò)熒光X射線分析法所得到的熒光X射線頻譜所檢測(cè)出包含Si-Kα射線的訊號(hào),而測(cè)定該拋光殘?jiān)俊?/p>
8.如權(quán)利要求6或7所述的拋光方法,其中
通過(guò)修整以及高壓噴射水洗凈來(lái)進(jìn)行該拋光殘?jiān)娜コ幚怼?/p>
9.如權(quán)利要求6或7所述的拋光方法,其中
該拋光機(jī)設(shè)為雙面拋光機(jī)。
10.如權(quán)利要求8中所述的拋光方法,其中
該拋光機(jī)設(shè)為雙面拋光機(jī)。
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H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
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