[發(fā)明專利]壓電膜以及壓電振子

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680004869.0
• 申請日: 2016-01-05
• 公開（公告）號: CN107112977B
• 公開（公告）日: 2020-07-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 會田康弘;梅田圭一
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H03H9/24
• 分類號: H03H9/24;C23C14/06;H03H9/17
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 舒艷君;李洋

1.一種壓電膜，含有：

AlN結(jié)晶；

至少一種第一元素，其在上述AlN結(jié)晶中與Al進(jìn)行置換；以及

第二元素，其具有比上述第一元素的離子半徑小且比Al的離子半徑大的離子半徑，該第二元素被添加到上述AlN結(jié)晶，

上述第一元素是Sc，在上述壓電膜中上述Sc的原子數(shù)相對于上述Al的原子數(shù)與上述Sc的原子數(shù)的總量，所占的比例在0.03以上0.50以下，

上述第二元素的配位數(shù)限定為4。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電膜，其中，

上述第二元素作為三價陽離子而存在。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的壓電膜，其中，

上述第二元素是從W、Zr、Fe、Ta、Cr、Ti以及Ni中選擇的至少一種元素。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電膜，其中，

在上述壓電膜中上述第二元素的原子數(shù)相對于上述Al的原子數(shù)與上述第一元素的原子數(shù)的總量的比率在0.01at％以上1.00at％以下。

5.一種壓電振子，具備：

壓電膜；和

夾著上述壓電膜的一對電極，

上述壓電膜含有：

AlN結(jié)晶；

至少一種第一元素，其在上述AlN結(jié)晶中與Al進(jìn)行置換；以及

第二元素，其具有比上述第一元素的離子半徑小且比Al的離子半徑大的離子半徑，該第二元素被添加到上述AlN結(jié)晶，

上述第一元素是Sc，在上述壓電膜中上述Sc的原子數(shù)相對于上述Al的原子數(shù)與上述Sc的原子數(shù)的總量，所占的比例在0.03以上0.50以下，

上述第二元素的配位數(shù)限定為4。