[發明專利]壓電膜以及壓電振子有效
| 申請號： | 201680004869.0 | 申請日： | 2016-01-05 |
| 公開（公告）號： | CN107112977B | 公開（公告）日： | 2020-07-14 |
| 發明（設計）人： | 會田康弘;梅田圭一 | 申請（專利權）人： | 株式會社村田制作所 |
| 主分類號： | H03H9/24 | 分類號： | H03H9/24;C23C14/06;H03H9/17 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艷君;李洋 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 壓電 以及 | ||
1.一種壓電膜，含有：
AlN結晶；
至少一種第一元素，其在上述AlN結晶中與Al進行置換；以及
第二元素，其具有比上述第一元素的離子半徑小且比Al的離子半徑大的離子半徑，該第二元素被添加到上述AlN結晶，
上述第一元素是Sc，在上述壓電膜中上述Sc的原子數相對于上述Al的原子數與上述Sc的原子數的總量，所占的比例在0.03以上0.50以下，
上述第二元素的配位數限定為4。
2.根據權利要求1所述的壓電膜，其中，
上述第二元素作為三價陽離子而存在。
3.根據權利要求1或2所述的壓電膜，其中，
上述第二元素是從W、Zr、Fe、Ta、Cr、Ti以及Ni中選擇的至少一種元素。
4.根據權利要求1所述的壓電膜，其中，
在上述壓電膜中上述第二元素的原子數相對于上述Al的原子數與上述第一元素的原子數的總量的比率在0.01at％以上1.00at％以下。
5.一種壓電振子，具備：
壓電膜；和
夾著上述壓電膜的一對電極，
上述壓電膜含有：
AlN結晶；
至少一種第一元素，其在上述AlN結晶中與Al進行置換；以及
第二元素，其具有比上述第一元素的離子半徑小且比Al的離子半徑大的離子半徑，該第二元素被添加到上述AlN結晶，
上述第一元素是Sc，在上述壓電膜中上述Sc的原子數相對于上述Al的原子數與上述Sc的原子數的總量，所占的比例在0.03以上0.50以下，
上述第二元素的配位數限定為4。
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