[發明專利]半導體裝置及半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201680004574.3
• 申請日: 2016-07-07
• 公開（公告）號: CN107112358B
• 公開（公告）日: 2020-10-20
• 發明（設計）人: 內藤達也
• 申請（專利權）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L21/336;H01L27/04;H01L29/12;H01L29/78
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 周春燕;金玉蘭

1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

半導體基板；

柵極溝槽部，其形成于所述半導體基板的表面；

虛設溝槽部，其形成于所述半導體基板的表面；以及

第一表面側電極，其形成于所述半導體基板的表面的上方，且包含金屬；

所述柵極溝槽部具有：

柵極溝槽，其形成于所述半導體基板的表面；

柵極導電部，其形成于所述柵極溝槽的內部；以及

柵極絕緣部，其在所述柵極溝槽的內部形成于所述柵極導電部的上方，且將所述柵極導電部與所述第一表面側電極絕緣；

所述虛設溝槽部具有：

虛設溝槽，其形成于所述半導體基板的表面；以及

虛設導電部，其形成于所述虛設溝槽的內部，從所述虛設溝槽的底部形成到所述虛設溝槽的中間部分，且與所述第一表面側電極接觸，

所述柵極溝槽形成至比所述虛設溝槽深的位置，

所述虛設溝槽部還具有覆蓋虛設溝槽的內壁而形成的第一絕緣膜、在所述虛設溝槽的內部形成于所述虛設導電部的上方并且被設置為覆蓋第一絕緣膜的內側的第二絕緣部，

所述第二絕緣部具有貫通孔，

所述第一表面側電極的一部分通過所述第二絕緣部的所述貫通孔接觸于所述虛設導電部，

所述第二絕緣部的所述虛設溝槽的開口側的端面的至少一部分是與所述半導體基板的表面相同的高度。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述柵極溝槽的寬度大于所述虛設溝槽的寬度。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述虛設導電部的靠所述虛設溝槽的開口側的端面的至少一部分與所述半導體基板的表面是相同的高度，

所述第一表面側電極與所述虛設導電部的所述端面接觸。

4.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述虛設導電部的靠所述虛設溝槽的開口側的端面的至少一部分與所述半導體基板的表面是相同的高度，

所述第一表面側電極與所述虛設導電部的所述端面接觸。

5.根據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，

所述柵極絕緣部的靠所述柵極溝槽的開口側的端面的至少一部分與所述半導體基板的表面是相同的高度，

所述第一表面側電極與所述柵極絕緣部的所述端面接觸。

6.根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，

所述柵極絕緣部的靠所述柵極溝槽的開口側的端面的至少一部分與所述半導體基板的表面是相同的高度，

所述第一表面側電極與所述柵極絕緣部的所述端面接觸。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述柵極導電部與所述虛設導電部由相同的材料形成。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述虛設溝槽部在所述半導體基板的表面沿預定的延伸方向延伸而形成，

所述柵極溝槽部具有：

對置部，其在與所述虛設溝槽部相對的范圍沿所述延伸方向延伸而形成；以及

突出部，其從所述對置部進一步延伸而形成于與所述虛設溝槽不相對的范圍，

所述半導體裝置還具備形成于所述突出部的上方的第二表面側電極，

所述突出部的所述柵極導電部與所述第二表面側電極電連接。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置，其特征在于，

在所述突出部的一部分，不設置所述柵極絕緣部，所述柵極導電部與所述第二表面側電極接觸。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于，

在所述突出部的所述一部分，所述柵極導電部的靠所述柵極溝槽的開口側的端面的至少一部分與所述半導體基板的表面是相同的高度，

所述第二表面側電極與所述柵極導電部的所述端面接觸。